[发明专利]一种整流电路及整流器

说明书

一种整流电路及整流器，涉及电子技术领域，能在输入整流电路的交流信号的电压小于Vth时正常工作。整流电路(E)包括偏置模块(A)、比较模块(B)、放大模块(C)和整流晶体管(D)；偏置模块(A)的电源端连接整流电路(E)的输出端、偏置模块(A)的输出端连接比较模块(B)的偏置端和放大模块(C)的偏置端，比较模块(B)的第一输入端连接整流电路(E)的输入端，比较模块(B)的第二输入端连接整流电路(E)的输出端，比较模块(B)的输出端连接放大模块(C)的输入端，放大模块(C)的电源端连接整流电路(E)的输出端，放大模块(C)的输出端连接整流晶体管(D)的栅极，整流晶体管(D)的源极连接整流电路(E)的输入端，整流晶体管(D)的漏极连接整流电路(E)的输出端。偏置模块(A)为比较模块(B)和放大模块(C)提供小于晶体管的阈值电压的偏置电压；比较模块(B)比较整流电路(E)的输入端的输入电压和整流电路(E)的输出端的输出电压后输出控制信号到放大模块(C)；放大模块(C)对控制信号放大后输出到整流晶体管(D)的栅极，以控制其导通或截止。

技术领域

本发明涉及电子技术领域，尤其涉及一种整流电路及整流器。

背景技术

近年来，能量采集技术不断发展，通常在采用能量采集技术进行能量采集的过程中需要通过整流器将输入其的交流信号转换为直流信号。

目前，通常使用二极管形式连接的互补金属氧化物半导体(Complementary MetalOxide Semiconductor，CMOS)管组成整流器中的无源整流电路，由于二极管形式连接的CMOS管上的压降较大，约为CMOS管的阈值电压(threshold voltage，Vth)，因此，当输入该无源整流电路的交流信号的电压值接近、远小于或者等于Vth时，该无源整流电路无法正常工作。为了解决该问题，提出了一种如图1所示的整流电路，在图1中，当晶体管M01被导通时，晶体管M01工作在线性区，且此时晶体管M01的压降为晶体管M01的漏极和源极之间的电压差，而由于晶体管M01的漏极和源极之间的电压差通常为几十毫伏(远小于Vth，Vth的量级通常为伏)，因此晶体管M01的压降比较小，从而该整流电路在整流电路输入的交流信号的电压值大于Vth或者等于Vth时，该整流器仍然可以正常工作。

由于图1中的比较器采用的是衬底驱动的结构，即比较器的两个输入端分别连接到晶体管M05和晶体管M06的衬底，因此这种连接方式会将比较器的最低工作电压降低到Vth，但是当输入整流电路的交流信号的电压小于Vth时，由于无法达到比较器的最低工作电压，所以比较器无法正常工作，从而整流电路无法正常工作。

发明内容

本申请提供一种整流电路及整流器，该整流电路及整流器能够在输入整流电路的交流信号的电压小于Vth的情况下正常工作。

为达到上述目的，本申请采用如下技术方案：

第一方面，提供一种整流电路，该整流电路包括：偏置模块、比较模块、放大模块以及整流晶体管。其中，偏置模块的电源端连接整流电路的输出端、偏置模块的输出端连接比较模块的偏置端和放大模块的偏置端，比较模块的第一输入端连接整流电路的输入端，比较模块的第二输入端连接整流电路的输出端，比较模块的输出端连接放大模块的输入端，放大模块的电源端连接整流电路的输出端，放大模块的输出端连接整流晶体管的栅极，整流晶体管的源极连接整流电路的输入端，整流晶体管的漏极连接整流电路的输出端。上述偏置模块用于为比较模块和放大模块提供偏置电压，偏置电压小于晶体管的阈值电压；比较模块用于比较整流电路的输入端的输入电压和整流电路的输出端的输出电压，并根据比较的结果输出控制信号到放大模块；放大模块用于对该控制信号进行放大，并将放大后的控制信号输出到整流晶体管的栅极，以控制整流晶体管导通或者截止。