[发明专利]微发光二极管转移方法和制造方法有效

专利信息
申请号: 201680090520.3 申请日: 2016-11-07
公开(公告)号: CN109891608B 公开(公告)日: 2021-10-08
发明(设计)人: 邹泉波 申请(专利权)人: 歌尔股份有限公司
主分类号: H01L33/36 分类号: H01L33/36
代理公司: 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 代理人: 石伟
地址: 261031 山东省*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 转移 方法 制造
【说明书】:

本发明公开了一种微发光二极管转移方法和制造方法。所述微发光二极管(303)转移方法包括:使转移头的拾取单元(305)与承载衬底(301)上的微发光二极管(303)接触,其中,所述拾取单元(305)能为微发光二极管(303)加载电流;通过拾取单元(305)向微发光二极管(303)加载电流,以加热微发光二极管(303)和承载衬底(301)之间的接合层(302)使其熔化;利用转移头从所述承载衬底(301)上拾取微发光二极管(303);将微发光二极管(303)接合到接收衬底(307)上;以及从微发光二极管中移除所述转移头。

技术领域

本发明涉及微发光二极管技术领域,更具体地,涉及一种微发光二极管转移方法及用于制造微发光二极管器件的方法。

背景技术

微发光二极管技术指的是在衬底上以高密度集成的小尺寸的发光二极管阵列。当前,微发光二极管技术正开始发展,业界期望有高质量的微发光二极管产品进入市场。高质量的微发光二极管将对已经进入市场的诸如LCD/OLED的传统显示产品产生深刻影响。

通常,在制造显示器件例如显示面板的过程中,微发光二极管要从承载衬底转移到诸如显示衬底等的接收衬底。例如,承载衬底可以是生长衬底或者从生长衬底上拾取微发光二极管的衬底。在现有技术中,转移头用于这种转移方法中。

例如,美国专利US8,426,227B1公开了一种形成微发光二极管阵列的方法,该专利在此全部引入作为参考。

美国专利US8,518,204B2公开了一种使用中间导电接合层制作和转移微器件及微器件阵列的方法,该专利在此全部引入作为参考。

在现有技术中,转移期间,需要加热微发光二极管,使微发光二极管的接合层熔化并且使微发光二极管作好诸如提升、接合到接收衬底等转移的准备。转移过程中,微发光二极管会经历几次加热周期。通常,在每个加热周期内,转移头会拾取承载衬底上的部分微发光二极管。在三个周期内,转移头会转移三种颜色的(红色、蓝色和绿色)微发光二极管。在每个周期内,即使仅有部分微发光二极管会被拾取和(或)被接合,也需加热所有微发光二极管使其熔化。因此,微发光二极管的性能可能会下降。或者,生产量和(或)可靠性可能会降低。

此外,当维修一个微发光二极管时,需要加热衬底上所有的微发光二极管。因此,对于整个衬底上的所有微发光二极管而言,需要更多的热预算。

另外,不良的微发光二极管的检查过程和转移过程是分开的。在转移期间,不良的微发光二极管也可能被拾取和转移,这会使维修过程更加复杂。

因此,在现有技术中需要提出一种新的通过使用转移头来转移微发光二极管方案以解决现有技术中的至少一个技术问题。

发明内容

本发明的一个目的是提供一种用于微发光二极管转移的新技术方案。

根据本发明的第一方面,提供了一种微发光二极管转移方法,包括:使转移头的拾取单元与承载衬底上的微发光二极管接触,其中,所述拾取单元将电流加载到微发光二极管;通过拾取单元向微发光二极管加载电流,以加热微发光二极管与承载衬底之间的接合层使其熔化;通过转移头从承载衬底上拾取微发光二极管;将微发光二极管接合到接收衬底上;以及从微发光二极管中去除所述转移头。

另选地或可选地,所述转移头的拾取单元包括转移衬底上的电极和电极上的导电粘合剂层。通过电极和导电粘合剂层加载电流。经由导电粘合剂层拾取所述微发光二极管。在微发光二极管接合到接收衬底上之后,去除所述导电粘合剂层。

另选地或可选地,所述导电粘合剂层是未构图的。

另选地或可选地,所述导电粘合剂层是导电光刻胶层。在加热微发光二极管和承载衬底之间的接合层期间,该导电光刻胶层被固化,并且在微发光二极管接合到接收衬底上之后,通过化学方法去除该导电光刻胶层。

另选地或可选地,转移头的拾取单元与承载衬底上的微发光二极管柔性接触。

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