[发明专利]垂直结构微发光二极管、显示装置、电子设备及制造方法

权利要求书

1.一种垂直结构的微发光二极管，包括：

接合在显示衬底上的底电极；

设置在所述底电极上方的第一类型掺杂区；

设置在所述第一类型掺杂区上方的第二类型掺杂区；

电介质层，沉积在第一类型掺杂区的外周和第二类型掺杂区外周的部分区域，暴露第二类型掺杂区外周的至少一部分；以及

包覆暴露的所述第二类型掺杂区外周的至少一部分的侧接触电极，

其中，所述侧接触电极直接接触所述第二类型掺杂区的部分侧表面。

2.根据权利要求1所述的微发光二极管，其中，所述第一类型掺杂区是p型掺杂区，所述第二类型掺杂区是n型掺杂区。

3.根据权利要求1或2所述的微发光二极管，其中，第二类型掺杂区外周的至少一部分包括重掺杂的第二类型区。

4.根据权利要求1或2所述的微发光二极管，其中，所述侧接触电极旁边的空位填充封装填料。

5.根据权利要求1或2所述的微发光二极管，其中，所述侧接触电极是导电封装填料，它位于所述第二类型掺杂区的外周。

6.一种显示装置，包括根据权利要求1-5中任一项所述的垂直结构的微发光二极管。

7.一种制造显示装置的方法，包括：

将垂直结构的微发光二极管转移到显示衬底上，其中所述微发光二极管包括底电极、设置在所述底电极上方的第一类型掺杂区和设置在所述第一类型掺杂区上方的第二类型掺杂区，其中底电极接合在所述显示衬底上；

在所述微发光二极管的外周形成电介质层，其中所述电介质层沉积在第一类型掺杂区的外周和第二类型掺杂区外周的部分区域，暴露所述第二类型掺杂区外周的至少一部分；

在形成所述电介质层后，形成包覆暴露的所述第二类型掺杂区外周的至少一部分的侧接触电极，所述侧接触电极直接接触所述第二类型掺杂区的部分侧表面；以及

在微发光二极管的顶部上形成保护层。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，形成所侧接触电极进一步包括：

在所述第二类型掺杂区的表面沉积所述侧接触电极的材料；

在所述侧接触电极的材料外涂覆光刻胶，并烘干光刻胶；

回蚀所述光刻胶以暴露所述第二类型掺杂区顶部的侧接触电极的材料；

去除所述第二类型掺杂区的顶部的侧接触电极的材料；以及

剥离光刻胶。

9.根据权利要求7所述的方法，其中形成所述侧接触电极进一步包括：

在所述第二类型掺杂区的表面沉积所述侧接触电极的材料；

在所述侧接触电极材料的外部填充封装填料；以及

研磨所述封装填料以去除所述第二类型掺杂区顶部的侧接触电极的材料。

10.根据权利要求7所述的方法，其中形成所述侧接触电极进一步包括：

在所述第二类型掺杂区的外周填充导电封装填料作为侧接触电极。