[发明专利]垂直结构微发光二极管、显示装置、电子设备及制造方法

说明书

本发明公开了一种垂直结构的微发光二极管、显示装置、电子设备和制造方法。所述垂直结构的微发光二极管包括：接合在显示衬底上的底电极；设置在所述底电极上方的第一类型掺杂区；设置在所述第一类型掺杂区上方的第二类型掺杂区；以及包覆第二类型掺杂区外周的至少一部分的侧接触电极。

技术领域

本发明涉及微发光二极管技术领域，更具体地，涉及一种垂直结构的微发光二极管、一种显示装置、一种电子设备及其一种显示装置的制造方法。

背景技术

微发光二极管技术指的是在衬底上以高密度集成的小尺寸的发光二极管阵列。当前，微发光二极管技术正开始发展，业界期望有高质量的微发光二极管产品进入市场。高质量的微发光二极管将对已经进入市场的诸如LCD/OLED的传统显示产品产生深刻影响。

在现有技术中，为了实现高清效果，设置在诸如显示面板的显示装置上的微发光二极管可以具有垂直结构。在这种微发光二极管中，顶电极设置在微发光二极管的顶部，并且与微发光二极管的顶面接触形成公共电极。微发光二极管从顶面发射光线，并且顶电极是透明的。

例如，美国专利US9,367,094B2公开了一种显示模块和一种系统应用，该专利在此全部引入作为参考。

通常，顶电极为阴极，并且与微发光二极管的n-EPI表面欧姆接触。深蚀刻n-EPI区以到达n-EPI的重掺杂区(例如，N++GaN区)。因为深蚀刻会使处理变得更加复杂。所以，成本高、产量低、可靠性差的问题也会随之出现。

此外，由于导电顶电极的光学透射率较差，这会导致顶电极的光学效率降低，大约降低5-20％。

此外，在这种微发光二极管中，侧向漏光也会降低其光学效率。对于高分辨率显示器而言，当微发光二极管的尺寸较小(例如，等于或小于10微米)时，这种现象越严重。

此外，在这种微发光二极管中，散热只能在其底面和顶面进行。中对于高分辨率的微发光二极管而言是不够的。这可能会导致过热的问题。相应地，微发光二极管的效率和/或寿命也会减少。

因此，需要提出一种新的垂直结构的微发光二极管的方案以解决现有技术中的至少一个技术问题。

发明内容

本发明的一个目的是提供一种用于垂直结构的微发光二极管的新技术方案。

根据本发明的第一方面，提供了一种垂直结构的微发光二极管，包括：接合在显示衬底上的底电极；设置在所述底电极上方的第一类型掺杂区；设置在所述第一类型掺杂区上方的第二类型掺杂区；以及包覆第二类型掺杂区外周的至少一部分的侧接触电极。

另选地或另外地，在第一类型掺杂区和第二类型掺杂区之间设置多量子阱层。

另选地或另外地，在第一类型掺杂区下方设置反光镜。

另选地或另外地，第一类型掺杂区是p型掺杂区，第二类型掺杂区是n型掺杂区。

另选地或另外地，第二类型掺杂区外周的至少一部分包括重掺杂的第二类型区。

另选地或另外地，在第二类型掺杂区的顶部设置保护层。

另选地或另外地，侧接触电极旁边的空位填充保护层。

另选地或另外地，侧接触电极旁边的空位填充封装填料。

另选地或另外地，侧接触电极是位于第二类型掺杂区外周的导电封装填料。

根据本发明的第二方面，提供了一种显示装置，包括根据本发明的垂直结构的微发光二极管。

根据本发明的第三方面，提供了一种电子设备，包括根据本发明的显示装置。