[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

表面金属，其形成于衬底；

第1保护膜，其形成于所述表面金属之上；

第2保护膜，其具有第1部分和第2部分，该第1部分设置于所述第1保护膜之上，该第2部分与所述第1部分相连，该第2部分设置于所述表面金属之上，该第2保护膜相对于光是透明的；以及

金属膜，其具有主体部和上攀部，该主体部设置于所述表面金属之上，该上攀部与所述主体部相连，该上攀部攀至所述第1保护膜上，

所述主体部比所述第1保护膜厚，所述第1部分比所述上攀部厚，所述第2部分比所述主体部厚。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在俯视观察时，所述第2保护膜之下的所述第1保护膜和所述第2保护膜之下的所述表面金属之间的边界线即基准线与所述第1保护膜和所述主体部的边界线即接触线是平行的。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在俯视观察时，所述第2保护膜之下的所述第1保护膜和所述第2保护膜之下的所述表面金属之间的边界线即基准线与所述第1保护膜和所述主体部的边界线即接触线形成1条直线。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

以夹着所述上攀部的方式设置2个所述第2保护膜，由此提供2条所述基准线，

所述2条所述基准线是平行的。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

所述接触线与所述2条基准线相比靠近所述主体部。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

在俯视观察时所述上攀部与所述第1保护膜的边界线即测定线位于所述2条基准线之间。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1保护膜的材料是玻璃、SiN、Ti或者W，

所述第2保护膜的材料是聚酰亚胺。

8.一种半导体装置，其特征在于，具备：

表面金属，其形成于衬底；

第1基准保护膜，其形成于所述表面金属之上；

第2基准保护膜，其形成于所述表面金属之上，与所述第1基准保护膜相比面积小；

支撑保护膜，其将所述第1基准保护膜和所述第2基准保护膜的一部分覆盖；以及

金属膜，

该金属膜具有：主体部，其设置于所述表面金属之上；第2上攀部，其与所述主体部相连，攀至所述第2基准保护膜的上表面中的未被所述支撑保护膜覆盖的部分的整体上；以及第1上攀部，其与所述主体部相连，攀至所述第1基准保护膜的上表面中的未被所述支撑保护膜覆盖的部分的一部分上。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1上攀部在俯视观察时形成为U字形。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

具备外部电极，该外部电极焊接至所述金属膜。

11.根据权利要求1至9中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

具备：

表面电极，其在所述衬底与所述金属膜分离而形成；以及

外部电极，其焊接至所述表面电极。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，

具备耐压保持构造，该耐压保持构造以将所述表面电极包围的方式而形成，

所述表面金属设置于所述耐压保持构造的外侧。

13.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，

所述表面金属形成于晶片的无效区域。

14.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，

所述表面金属形成于切割线。