[发明专利]半导体装置

说明书

具备：表面金属，其形成于衬底；第1保护膜，其形成于该表面金属之上；第2保护膜，其具有第1部分和第2部分，该第1部分设置于该第1保护膜之上，该第2部分与该第1部分相连，该第2部分设置于该表面金属之上，该第2保护膜相对于光是透明的；以及金属膜，其具有主体部和上攀部，该主体部设置于该表面金属之上，该上攀部与该主体部相连，该上攀部攀至该第1保护膜上，该主体部比该第1保护膜厚，该第1部分比该上攀部厚，该第2部分比该主体部厚。

技术领域

本发明涉及用于例如大功率的通断等的半导体装置。

背景技术

在专利文献1中，公开了在对大电流进行通断的半导体装置中，半导体元件的电极与外部电极之间的连接需要适合于大电流。在专利文献2中，公开了将铜板即外部电极与半导体元件的电极通过焊料而直接接合。由此，可以实现降低电阻、并且能够流过大电流的连接。

在专利文献3中，公开了通过形成适当厚度的Ni层作为焊料接合用金属膜，从而使焊料接合时的可靠性提高。通过将Ni厚度最优化，从而能够更好地兼顾工艺可行性和接合可靠性这两者。

专利文献1：国际公开第2014/136303号

专利文献1：日本特开2008-182074号公报

专利文献1：日本特开2010-272711号公报

发明内容

有时在半导体元件的电极之上，形成例如膜厚大于或等于1.5μm的Ni而将其用作焊料接合用金属膜。与通过剥离法而形成这样的金属膜相比，通过无电解镀法而形成这样的金属膜具有成本优势。但是，在通过无电解镀法而形成金属膜的情况下，与通过剥离法而形成的情况相比较，存在以下问题，即，批次内的晶片间的金属膜厚波动以及晶片面内的金属膜厚波动大。

如上述专利文献所述，为了提高可靠性，谋求金属膜的厚度处于预定的范围。因此，作为理想情况，优选通过芯片的全数检查而对金属膜的厚度处于预定的范围进行确认。作为已知的非破坏测定方法，使用例如荧光X射线分析法。荧光X射线分析法是对从被照射了X射线的镀敷膜放出的荧光X射线进行检测，与膜厚已知的标准样品进行比较的方法。但是，对制造出的半导体装置进行全数检查会导致处理时间的增加，因而应当避免。因此，谋求能够容易地判定金属膜的膜厚是否适当的半导体装置。

本发明就是为了解决上述课题而提出的，其目的主要在于提供半导体装置，该半导体装置能够容易地判定外部电极的接合所用的金属膜的膜厚是否适当。

本发明涉及的半导体装置，其特征在于，具备：表面金属，其形成于衬底；第1保护膜，其形成于该表面金属之上；第2保护膜，其具有第1部分和第2部分，该第1部分设置于该第1保护膜之上，该第2部分与该第1部分相连，该第2部分设置于该表面金属之上，该第2保护膜相对于光是透明的；以及金属膜，其具有主体部和上攀部，该主体部设置于该表面金属之上，该上攀部与该主体部相连，该上攀部攀至该第1保护膜上，该主体部比该第1保护膜厚，该第1部分比该上攀部厚，该第2部分比该主体部厚。

本发明涉及的另外的半导体装置，其特征在于，具备：表面金属，其形成于衬底；第1基准保护膜，其形成于该表面金属之上；第2基准保护膜，其形成于该表面金属之上，与该第1基准保护膜相比面积小；支撑保护膜，其将该第1基准保护膜和该第2基准保护膜的一部分覆盖；以及金属膜，该金属膜具有：主体部，其设置于该表面金属之上；第2上攀部，其与该主体部相连，攀至该第2基准保护膜的上表面中的未被该支撑保护膜覆盖的部分的整体上；以及第1上攀部，其与该主体部相连，攀至该第1基准保护膜的上表面中的未被该支撑保护膜覆盖的部分的一部分上。

本发明涉及的另外的半导体装置，其特征在于，具备：表面电极，其形成于衬底；外部电极，其焊接至该表面电极；以及膜厚监视部，其形成于该衬底，该膜厚监视部具有：多个焊盘，其以不同的间隔设置；以及监视部金属，其覆盖该多个焊盘，由与该表面电极相同的材料形成。