[发明专利]显示装置制造方法、显示装置和电子设备

权利要求书

1.一种制造具有垂直微发光二极管的显示装置的方法，包括：

在生长衬底上形成垂直微发光二极管；

在每个垂直微发光二极管的顶部形成第一电极；

在每个垂直微发光二极管的侧面形成第二电极；以及

将具有所述第一电极和所述第二电极的所述垂直微发光二极管从所述生长衬底转移到显示装置的显示衬底上，

其中，每个垂直微发光二极管包括设置在生长衬底上方的第二类型掺杂区、设置在第二类型掺杂区上方的多量子阱区和设置在多量子阱区上方的第一类型掺杂区，并且在所述第二类型掺杂区的侧面形成所述第二电极。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一电极是P电极，所述第二电极是N电极。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，第一类型掺杂区是P掺杂区，第二类型掺杂区是N掺杂区并且第二类型掺杂区包括N重掺杂区，在N掺杂区的侧面形成第二电极，并且所述第二电极与N重掺杂区欧姆接触。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，形成第二电极包括：

在每个垂直微发光二极管的顶部和侧面沉积第二电极；

在所述第二电极上涂覆光刻胶；

回蚀所述光刻胶，以暴露所述多量子阱区和所述第一类型掺杂区，并且包覆所述垂直微发光二极管侧面上的第二电极；

蚀刻暴露的第二电极；以及

除去剩余的光刻胶。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括：

通过第一电极和第二电极测试生长衬底上的垂直微发光二极管，以确定生长衬底上的良好管芯的垂直微发光二极管，

其中，转移所述垂直微发光二极管包括：

将良好管芯的垂直微发光二极管从生长衬底转移到显示衬底上。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一电极的外层是金。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，第二电极是包括铬、铝、氧化铟锡、镍、金、银、钛和氮化钛的金属层的叠层。

8.根据权利要求1所述的方法，其中同时形成所述第一电极和所述第二电极。

9.一种显示装置，其根据权利要求1-8中任一项所述的具有垂直微发光二极管的显示装置的制造方法制造。

10.一种电子设备，包括根据权利要求9所述的显示装置。