[发明专利]显示装置制造方法、显示装置和电子设备

说明书

一种显示装置制造方法、显示装置和电子设备。所述显示装置制造方法包括：在生长衬底(201)上形成垂直微发光二极管(200)(S1100)；在每个垂直微发光二极管(200)的顶部形成第一电极(207)(S1200)；在每个垂直微发光二极管(200)的侧面形成第二电极(208)(S1300)；以及将所述垂直微发光二极管(200)从所述生长衬底(201)转移到显示装置的显示衬底(301)上(S1400)。可以简化转移后显示衬底上的后期制造工艺。

技术领域

本发明涉及微发光二极管技术领域，更具体地，涉及一种制造具有垂直微发光二极管的显示装置的方法、一种显示装置和一种电子设备。

背景技术

微发光二极管技术指的是在衬底上以高密度集成的小尺寸的发光二极管阵列。当前，微发光二极管技术正开始发展，业界期望有高质量的微发光二极管产品进入市场。高质量的微发光二极管将对已经进入市场的诸如LCD/OLED的传统显示产品产生深刻影响。

在现有技术中，为了实现高清效果，设置在诸如显示面板的显示装置上的微发光二极管可以具有垂直结构。在这种微发光二极管中，顶电极设置在微发光二极管的顶部，并且与微发光二极管的顶面接触形成公共电极。微发光二极管从顶面发射光线，并且顶电极是透明的。

例如，美国专利9,367,094B2公开了一种显示模块和系统应用，该专利在此全部引入作为参考。

通常，显示衬底上的顶电极为阴极或N电极(N为金属)，并且与微发光二极管的n-EPI表面欧姆接触。深蚀刻n-EPI区以到达n-EPI的重掺杂区(例如，N++GaN区)。因为深蚀刻会使处理变得更加复杂。所以，成本高、产量低、可靠性差的问题也会随之出现。底电极是阳极或P电极(P为金属)。

图1是现有技术中的生长衬底上的垂直微发光二极管的示意图。如图1所示，在生长衬底101上形成垂直微发光二极管100。例如，通过外延生长形成垂直微发光二极管100。所述垂直微发光二极管100可以包括P掺杂区106、多量子阱(MQW)区105和N掺杂区104。所述N掺杂区104可以包括N++重掺杂区103。另选地，垂直微发光二极管100可以进一步包括在生长衬底101上生长的未掺杂外延区102。可以在垂直微发光二极管100的顶部形成P电极或阳极107。

此外，因为导电顶电极的光学透射率较差，所以，在一定程度上，这会使顶电极的光学效率降低约5-20％。

此外，在这种微发光二极管中，侧向漏光也会降低这种微发光二极管的光学效率。对于高分辨率显示器而言，当微发光二极管的尺寸小(例如，等于或小于10微米)时，这种现象更严重。

此外，在这种微发光二极管中，散热只能在其底面和顶面进行。对于小尺寸的用于实现高分辨率的微发光二极管而言，这种散热不足。这可能导致过热的问题。相应地，微发光二极管的效率和/或寿命也会减少。

此外，在现有技术中，微发光二极管转移到显示衬底上之后，才形成阴极或N电极，这限制了N电极的处理。

因此，需要提出一种新的垂直结构的微发光二极管的方案以解决现有技术中的至少一个技术问题。

发明内容

本发明的一个目的是提供一种用于垂直结构的微发光二极管的新技术方案。

根据本发明的第一方面，提供了一种制造具有垂直微发光二极管的显示装置的方法，包括：在生长衬底上形成垂直微发光二极管；在每个垂直微发光二极管的顶部形成第一电极；在每个垂直微发光二极管的侧面形成第二电极；以及将所述垂直微发光二极管从所述生长衬底转移到显示装置的显示衬底上。

可选地或另选地，第一电极是P电极，第二电极是N电极。

可选地或另选地，每个垂直微发光二极管包括设置在生长衬底上方的第二类型掺杂区、设置在第二类型掺杂区上方的多量子阱区和设置在多量子阱区上方的第一类型掺杂区，并且在所述第二类型掺杂区的侧面形成第二电极。