[发明专利]高效率太阳能电池及高效率太阳能电池的制造方法在审

专利信息
申请号: 201680090769.4 申请日: 2016-11-15
公开(公告)号: CN110073499A 公开(公告)日: 2019-07-30
发明(设计)人: 桥上洋;森山隼;渡部武纪;大塚宽之 申请(专利权)人: 信越化学工业株式会社
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/068;C08G73/10
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 导电型 太阳能电池 绝缘膜 高效率太阳能电池 半导体基板 发射 二次离子质谱 光电变换特性 电性短路 基极电极 加速电压 聚酰亚胺 电极 主表面 检出 射极 离子 照射 飞行 制造
【权利要求书】:

1.一种太阳能电池,其特征在于,

具备:备有具有第1导电型的半导体基板、且在该半导体基板的第1主表面、有与前述第1导电型相反的导电型亦即第2导电型的发射领域,接在前述发射领域的射极电极,具有前述第1导电型的基极领域,接在前述基极领域的基极电极,与防止前述发射领域与前述基极领域的电性短路的绝缘膜的太阳能电池,前述绝缘膜是由聚酰亚胺所构成;前述绝缘膜在TOF-SIMS(飞行式二次离子质谱)法将Bi5++离子以加速电压30kV,0.2pA的条件照射时的C6H11O2检出计数为100以下。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,

前述绝缘膜被形成为前述发射领域与前述基极电极电性绝缘。

3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池,其中,

前述绝缘膜被形成为前述基极领域与前述射极电极电性绝缘。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的太阳能电池,其中,

前述绝缘膜被形成为前述射极电极与前述基极电极电性绝缘。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的太阳能电池,其中,

前述半导体基板是结晶硅基板。

6.一种太阳能电池模块,其特征在于,

将权利要求1至5中任一项所述的太阳能电池电性地连接而成的太阳能电池模块。

7.一种太阳能电池发电系统,其特征在于,

将权利要求6所述的太阳能电池模块多个连接而成的太阳能电池发电系统。

8.一种太阳能电池的制造方法,其特征在于,

具有:在具有第1导电型的半导体基板的第1主表面,形成具有与前述第1导电型相反的导电型即第2导电型的发射领域、与形成具有前述第1导电型的基极领域的步骤;形成接在前述发射领域的射极电极、与接在前述基极领域的基极电极的步骤;作为防止前述发射领域与前述基极领域的电性短路的绝缘膜而形成不含羧基的聚酰亚胺的步骤。

9.根据权利要求8所述的太阳能电池的制造方法,其中,

作为前述半导体基板而使用结晶硅基板。

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