[发明专利]激光照射装置、薄膜晶体管以及薄膜晶体管的制造方法

权利要求书

1.一种激光照射装置，其特征在于，具备：

光源，其产生激光；

投影透镜，其对分别粘附于玻璃基板上的多个薄膜晶体管的非晶硅薄膜的规定的区域照射所述激光；以及

投影掩模图案，其设于所述投影透镜上，以对于所述多个薄膜晶体管分别照射所述激光的方式设有多个开口部，

所述投影透镜经由所述投影掩模图案，对于沿规定的方向移动的所述玻璃基板上的所述多个薄膜晶体管照射所述激光，

所述投影掩模图案设置为，所述开口部在与所述移动的方向正交的一列上不连续。

2.根据权利要求1所述的激光照射装置，其特征在于，

所述投影透镜为微透镜阵列所包含的多个微透镜，所述微透镜阵列能够对所述激光进行分离，

所述投影掩模图案以如下方式设置所述开口部，即，使与所述移动的方向正交的一列的微透镜中的、经由所述开口部而照射激光的微透镜互不相邻。

3.根据权利要求2所述的激光照射装置，其特征在于，

从所述光源照射出的激光在一次照射中，经由与所述正交的一列对应的微透镜而被照射到所述多个薄膜晶体管，

所述投影掩模图案以如下方式设置所述开口部，即，经由与所述一列对应的微透镜中的、互不相邻的微透镜而照射激光。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的激光照射装置，其特征在于，

所述投影透镜分别对于所述多个薄膜晶体管照射规定数量的激光，

所述投影掩模图案相对于所述移动的方向而设有规定数量的开口部。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的激光照射装置，其特征在于，

所述投影透镜向粘附于薄膜晶体管所包含的源电极与漏电极之间的非晶硅薄膜的规定的区域照射激光，从而形成多晶硅薄膜。

6.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：

第一步骤，在所述第一步骤中产生激光；

第二步骤，在所述第二步骤中，使用投影透镜对分别粘附于玻璃基板上的多个薄膜晶体管的非晶硅薄膜的规定的区域照射所述激光，所述投影透镜设有包含多个开口部的投影掩模图案；以及

第三步骤，在所述第三步骤中，每次照射所述激光时，使所述玻璃基板沿规定的方向移动，

在所述第二步骤中，经由所述投影掩模图案照射所述激光，所述投影掩模图案设置为所述开口部在与所述移动的方向正交的一列上不连续。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，

所述投影透镜为微透镜阵列所包含的多个微透镜，所述微透镜阵列能够对所述激光进行分离，

在所述第二步骤中，经由如下方式设置所述开口部的所述投影掩模图案而照射所述激光，即，使与所述移动的方向正交的一列的微透镜中的、经由所述开口部而照射激光的微透镜互不相邻。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，

所述投影掩模图案以如下方式设置所述开口部，即，经由与所述一列对应的微透镜中的、互不相邻的微透镜而照射激光。

在所述第二步骤中，所述激光在一次照射中，经由与所述正交方向的一列对应的微透镜而被照射到所述多个薄膜晶体管。

9.根据权利要求6至8中的任一项所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，

在所述第二步骤中，经由投影掩模图案分别对于所述多个薄膜晶体管照射规定数量的激光，所述投影掩模图案相对于所述移动的方向而设有规定数量的开口部。

10.根据权利要求6至9中的任一项所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，

在所述第二步骤中，向粘附于薄膜晶体管所包含的源电极和漏电极之间的非晶硅薄膜的规定的区域照射激光，从而形成多晶硅薄膜。