[发明专利]激光照射装置、薄膜晶体管以及薄膜晶体管的制造方法

说明书

依赖于激光的能量密度的偏差，玻璃基板所包含的多个薄膜晶体管的特性产生偏差，从而在将玻璃基板用于液晶显示装置的液晶时，会产生显示不均这样的问题。本发明的一个实施方式中的激光照射装置的特征在于，具有：光源，其产生激光；投影透镜，其对分别粘附于玻璃基板上的多个薄膜晶体管的非晶硅薄膜的规定的区域照射该激光；投影掩模图案，其设于该投影透镜上，以对于该多个薄膜晶体管分别照射该激光的方式设有多个开口部，该投影透镜经由该投影掩模图案，对于沿规定的方向移动的该玻璃基板上的该多个薄膜晶体管照射该激光，该投影掩模图案设置为，该开口部在与该移动的方向正交的一列上不连续。

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管的形成，尤其涉及用于对薄膜晶体管上的非晶硅薄膜照射激光而形成多晶硅薄膜的激光照射装置、薄膜晶体管以及薄膜晶体管的制造方法。

背景技术

作为反参差结构的薄膜晶体管，存在有将非晶硅薄膜使用于沟道区域的薄膜晶体管。不过，非晶硅薄膜由于电子迁移率小，因此如果将该非晶硅薄膜使用于沟道区域，则存在薄膜晶体管中的电荷的迁移率减小这样的难点。

因此，存在如下技术：通过利用激光将非晶硅薄膜的规定的区域瞬间加热而实现多晶体化，形成电子迁移率较高的多晶硅薄膜，从而将该多晶硅薄膜使用于沟道区域。

例如，专利文献1公开了如下内容：在沟道区域形成非晶硅薄膜，然后，向该非晶硅薄膜照射准分子激光器等的激光来进行激光退火，由此通过短时间内的熔融凝固来进行使多晶硅薄膜晶体化的处理。专利文献1记载了如下内容：通过进行该处理，能够使薄膜晶体管的源极与漏极间的沟道区域成为电子迁移率较高的多晶硅薄膜，从而能够实现晶体管动作的高速化。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2016－100537号公报

发明内容

发明的概要

发明要解决的课题

在专利文献1记载的薄膜晶体管中，源极与漏极间的沟道区域由一处(一个)多晶硅薄膜形成。因此，薄膜晶体管的特性依赖于一处(一个)多晶硅薄膜。

在此，准分子激光器等的激光的能量密度在其每次照射(发射)时都产生偏差，因此使用该激光形成的多晶硅薄膜的电子迁移率也产生偏差。因此，使用该多晶硅薄膜形成的薄膜晶体管的特性也依赖于激光的能量密度的偏差。

其结果是，有可能导致玻璃基板所包含的多个薄膜晶体管的特性产生偏差。

本发明鉴于上述问题而完成，其目的在于提供能够抑制玻璃基板所包含的多个薄膜晶体管的特性的偏差的激光照射装置、薄膜晶体管及薄膜晶体管的制造方法。

用于解决技术问题的技术方案

本发明的一个实施方式的激光照射装置具有：光源，其产生激光；投影透镜，其对分别粘附于玻璃基板上的多个薄膜晶体管的非晶硅薄膜的规定的区域照射该激光；以及投影掩模图案，其设于该投影透镜上，以对于该多个薄膜晶体管分别照射该激光的方式设有多个开口部，该投影透镜经由该投影掩模图案对于沿规定的方向移动的该玻璃基板上的该多个薄膜晶体管照射该激光，该投影掩模图案设置为该开口部在与该移动的方向正交的一列上不连续。

在本发明的一个实施方式的激光照射装置中也可以为，该投影透镜为微透镜阵列所包含的多个微透镜，所述微透镜阵列能够对该激光进行分离，该投影掩模图案以如下方式设置该开口部，即，使与该移动的方向正交的一列的微透镜中的、经由该开口部而照射激光的微透镜互不相邻。

在本发明的一个实施方式的激光照射装置中也可以为，从该光源照射出的激光在一次照射中，经由与该正交方向的一列对应的微透镜而被照射到该多个薄膜晶体管，该投影掩模图案以如下方式设置该开口部，即，经由与该一列对应的微透镜中的、互不相邻的微透镜而照射激光。