[发明专利]堆叠管芯腔封装在审

专利信息
申请号: 201680091161.3 申请日: 2016-12-27
公开(公告)号: CN110024116A 公开(公告)日: 2019-07-16
发明(设计)人: M.莫迪;R.L.桑克曼;D.马利克;R.V.马哈詹;A.P.阿卢尔;邓一康;E.J.李 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: H01L25/065 分类号: H01L25/065;H01L23/498;H01L23/31
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 张健;申屠伟进
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 导电接触部 衬底 第一表面 集成电路管芯 第二表面 堆叠管芯 模塑材料 介电层 耦合的 封装 平行 覆盖
【权利要求书】:

1.一种装置,包括:

形成衬底的多个介电层;

所述衬底的第一表面上的多个第一导电接触部;

所述衬底的第一表面中的腔,限定与所述第一表面平行的第二表面;

所述衬底的第二表面上的多个第二导电接触部;

与所述第二导电接触部耦合的一个或多个集成电路管芯;以及

模塑材料,至少部分地覆盖所述一个或多个集成电路管芯和所述第一导电接触部。

2.如权利要求1所述的装置,进一步包括所述衬底内的芯层。

3.如权利要求1所述的装置,进一步包括与所述第一导电接触部耦合的存储器设备,所述存储器设备跨越所述腔。

4.如权利要求1所述的装置,其中所述腔包括大于约100 um的深度。

5.如权利要求1至4中任一项所述的装置,其中所述第一导电接触部包括焊料形式。

6.如权利要求1至4中任一项所述的装置,其中所述一个或多个集成电路管芯包括:

第一集成电路管芯,与所述第二导电接触部耦合;以及

第二集成电路管芯,通过硅通孔与所述第一集成电路管芯耦合。

7.一种集成电路封装,包括:

衬底,包括:

第一表面;

所述第一表面中的腔,限定与所述第一表面平行的第二表面;

所述第一表面上的焊料形式,处于所述腔的相反侧上;以及

所述第二表面上的导电接触部;

一个或多个集成电路管芯,与所述第二表面上的导电接触部耦合;

模塑材料,覆盖所述一个或多个集成电路管芯;以及

集成电路设备,与所述腔的相反侧上的焊料形式耦合。

8.如权利要求7所述的装置,其中所述一个或多个集成电路设备包括:

第一集成电路管芯,与所述第二表面上的导电接触部耦合;以及

第二集成电路管芯,与所述第一集成电路管芯的顶表面耦合。

9.如权利要求8所述的装置,进一步包括:通过线接合与所述第二表面上的导电接触部导电耦合的所述第二集成电路管芯。

10.如权利要求7所述的装置,其中所述腔包括大于约100 um的深度。

11.如权利要求7至10中任一项所述的装置,其中所述一个或多个集成电路管芯包括处理器。

12.如权利要求7至10中任一项所述的装置,其中与所述焊料形式耦合的集成电路设备包括存储器设备。

13.一种系统,包括:

显示子系统;

无线通信接口;以及

集成电路封装,所述集成电路封装包括:

衬底,包括:

第一表面;

所述第一表面中的腔,限定与所述第一表面平行的第二表面;

所述第一表面上的焊料形式,处于所述腔的相反侧上;以及

所述第二表面上的导电接触部;

一个或多个集成电路管芯,与所述第二表面上的导电接触部耦合;以及

存储器设备,与所述腔的相反侧上的焊料形式耦合。

14.如权利要求13所述的系统,进一步包括:模塑材料,覆盖所述一个或多个集成电路管芯和所述焊料形式,其中所述存储器设备通过穿塑通孔与所述焊料形式耦合。

15.如权利要求13所述的系统,其中所述腔包括大于约100 um的深度。

16.如权利要求13所述的系统,其中所述一个或多个集成电路设备包括处理器。

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