[发明专利]电子器件封装在审
申请号: | 201680091259.9 | 申请日: | 2016-12-31 |
公开(公告)号: | CN110050332A | 公开(公告)日: | 2019-07-23 |
发明(设计)人: | Z.丁;B.刘;Y.佘;H.I.金 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/498;H01L23/538;H01L25/065;H01L25/16;H01L25/18 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 郑瑾彤;刘春元 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 互连接口 电子器件封装 电子组件 再分布层 电耦合 中介层 顶侧 | ||
公开了电子器件封装技术。根据本公开的电子器件封装可以包括电子组件、再分布层和电耦合再分布层与电子组件的中介层。中介层可以在顶侧上具有电耦合到电子组件的互连接口,并且在底侧上具有电耦合到再分布层的互连接口。顶侧上的互连接口的密度可以大于底侧上的互连接口的密度。还公开了相关系统和方法。
技术领域
本文描述的实施例总体上涉及电子器件封装,并且更具体地涉及电子器件封装中的互连组件。
背景技术
随着移动(例如,蜂窝电话、平板电脑等)和可穿戴市场需要更多功能,存储和性能、组件密度逐渐提高,以在这些小形状因子的应用中提供空间节约。例如,用于这些应用的系统级封装(SiP)通常需要多堆叠管芯以及异构集成电路和组件集成技术。在这些SiP中广泛实现高密度互连(HDI)基板。多堆叠管芯通常以引线键合连接电连接到基板。
附图说明
根据下面结合附图的详细描述,发明特征和优点将变得清楚,附图通过示例的方式一起例示了各种发明实施例;并且,其中:
图1例示了根据示例实施例的电子器件封装的示意性截面图;
图2A和2B例示了根据示例实施例的电子器件封装的中介层的示意性截面图;
图3A-3G例示了根据示例实施例的用于制造电子器件封装的方法的各方面;
图4A-4F例示了根据另一示例实施例的用于制造电子器件封装的方法的各方面;以及
图5是示例性计算系统的示意图。
现在将参考所例示的示例性实施例,并且本文将使用特定语言来描述它们。然而,将要理解的是,在此没有限制范围或将范围局限于特定的发明实施例的意图。
具体实施方式
在公开和描述发明实施例之前,应当理解,不旨在限制到本文公开的特定结构、工艺步骤或材料,而是还要包括相关领域的普通技术人员将认识到的其等同物。还应该理解,本文采用的术语仅用于描述特定示例的目的并且不旨在进行限制。不同附图中的相同附图标记表示相同元素。在流程图和过程中提供的数字是为了例示步骤和操作中的清楚性提供的,并不一定指示特定的顺序或序列。除非另有定义,否则本文使用的所有技术和科学术语具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。
如在该书面描述中使用的,单数形式“一”、“一个”和“该”提供对复数个指示对象的明确支持,除非上下文另有明确规定。因此,例如,对“层”的提及包括多个这样的层。
在本申请中,“包括”、“包括有”、“包含”和“具有”以及诸如此类可以具有美国专利法中赋予它们的含义并且可以意味着“包含”、“包含有”以及诸如此类,并且通常被解释为开放式术语。术语“由……组成”或“由……构成”是封闭式术语,并且仅包括结合此类术语具体列出的组件、结构、步骤或者诸如此类,以及根据美国专利法的那些。“基本上由......组成”或“基本由......构成”具有美国专利法通常赋予它们的含义。特别是,此类术语通常是封闭式术语,例外是允许包含其他项目、材料、组件、步骤或元素,不实质性影响与其结合使用的(一个或多个)项目的基本和新颖特征或功能。例如,如果在“基本上由......组成”语言下存在,则组合物中存在但不影响组合物性质或特性的微量元素将是可允许的,即使在此类术语之后的项目列表中没有明确记载。当在书面描述中使用开放式术语,如“包含”或“包括”时,应当理解如同明确说明的那样,也将提供对于语言“基本上由……组成”以及语言“由……组成”的直接支持,并且反之亦然。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司,未经英特尔公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造