[其他]包括ZnO透明电极的发光元件

权利要求书

1.一种发光元件，其特征在于，包括：

第一导电型半导体层；

台面，位于所述第一导电型半导体层上，且包括活性层以及位于所述活性层上的第二导电型半导体层；

ZnO透明电极，位于所述台面上；

第一电极，位于所述第一导电型半导体层上；以及

第二电极，至少一部分位于所述ZnO透明电极上，且包括第二电极焊盘以及从所述第二电极焊盘开始延伸的一个以上的第二电极延伸部，

其中，所述第一导电性半导体层、所述活性层以及所述第二导电型半导体层构成为发光结构体，

所述第二电极延伸部与所述ZnO透明电极接触，

所述ZnO透明电极包括第一区域及第二区域，所述第一区域包括向所述ZnO透明电极上表面的上部凸出且以预定的图案布置的多个凸出部，

与所述多个凸出部的高度对应的部分的厚度大于所述第二区域的厚度，

所述多个凸出部之间的间距小于从所述第二电极延伸部至邻近于所述第二电极延伸部的一凸出部之间的水平方向最短距离。

2.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，

所述ZnO透明电极的第一区域的最大厚度是所述ZnO透明电极的第二区域的厚度的2至6倍。

3.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，

所述ZnO透明电极的第二区域具有250nm以上的厚度。

4.如权利要求3所述的发光元件，其特征在于，

所述ZnO透明电极的第二区域具有300至500nm的厚度。

5.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，

所述ZnO透明电极的凸出部具有1至1.5μm的高度。

6.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，

所述凸出部各自的下表面的直径或者对应所述凸出部各自的下表面的内切圆的直径，是所述凸出部间的间距的1.5至3倍。

7.如权利要求6所述的发光元件，其特征在于，

所述凸出部各自的下表面的直径或者对应于所述凸出部各自的下表面的内切圆的直径为1至3μm。

8.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，

位于所述第二电极延伸部的下部的ZnO透明电极的厚度大于所述ZnO透明电极的平均厚度。

9.如权利要求8所述的发光元件，其特征在于，

位于所述第二电极延伸部的下部的ZnO透明电极的厚度与所述ZnO透明电极的第一区域的厚度相同。

10.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，

还包括位于所述台面与所述ZnO透明电极之间的电流阻断层，所述电流阻断层包括：焊盘电流阻断层，位于所述第二电极焊盘的下部；以及延伸部电流阻断层，位于所述第二电极延伸部的下部。

11.如权利要求10所述的发光元件，其特征在于，

所述延伸部电流阻断层被所述ZnO透明电极覆盖，所述焊盘电流阻断层被所述ZnO透明电极局部地覆盖，

在所述第二电极焊盘与所述焊盘电流阻断层之间的一部分夹设有所述ZnO透明电极。

12.如权利要求11所述的发光元件，其特征在于，

夹设于所述第二电极焊盘与所述焊盘电流阻断层之间的一部分的所述ZnO透明电极的厚度大于所述ZnO透明电极的平均厚度。

13.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，

还包括至少局部地覆盖所述发光结构体的上表面及所述ZnO透明电极的钝化层。

14.如权利要求13所述的发光元件，其特征在于，

位于所述ZnO透明电极的第二区域上的钝化层的部分的厚度大于位于所述ZnO透明电极的第一区域上的钝化层的部分的厚度。