[其他]包括ZnO透明电极的发光元件

说明书

本实用新型提供一种发光元件。发光元件包括：第一导电型半导体层；台面，位于所述第一导电型半导体层上，且包括活性层以及位于活性层上的第二导电型半导体层；ZnO透明电极，位于台面上；第一电极，位于第一导电型半导体层上；以及第二电极，至少一部分位于ZnO透明电极上，且包括第二电极焊盘以及从第二电极焊盘开始延伸的一个以上的第二电极延伸部，其中，第二电极延伸部与ZnO透明电极接触，ZnO透明电极包括第一区域及第二区域，所述第一区域包括向所述ZnO透明电极上表面的上部凸出且以预定的图案布置的多个凸出部，与多个凸出部的高度对应的部分的厚度大于第二区域的厚度，多个凸出部之间的间距小于从第二电极延伸部至邻近于第二电极延伸部的一凸出部之间的水平方向最短距离。

技术领域

本实用新型涉及一种发光元件，尤其涉及一种包括多个凸出部，从而提高发光效率，并提高电特性的包括ZnO透明电极的发光元件。

背景技术

在利用氮化物系半导体的发光二极管中，氮化物系p型半导体层具有相对低于n型半导体层的导电性。因此，电流在p型半导体层无法沿水平方向有效地分散，从而发生电流集中于半导体层的特定部分的现象(current crowding)。在电流集中于半导体层内的情况下，发光二极管对静电放电变得薄弱，并且可能发生漏电及效率下降(droop)。并且，p型半导体层相比于n 型半导体层不易于形成与金属性电极之间的欧姆接触，或与金属性电极之间的接触电阻高。

因此，为了有效地分散电流，且顺利地形成欧姆接触，曾经在发光元件的制造中应用在p型半导体层上形成如ITO等透明电极及电流阻断层的技术。然而，仅由电流阻断层及ITO透明电极使电流在整个p型半导体层均匀分散是有限度的。尤其，由于ITO随厚度的透光性低下，所以增加ITO的厚度是有限度的，因此在ITO内的水平方向电阻相对较高，且电流分散也随之有限。

实用新型内容

技术问题

本实用新型要解决的课题是提供一种电阻低且提高了电流分散效率的包括ZnO透明电极的发光元件。

本实用新型要解决的又一课题是提供一种通过对ZnO透明电极表面进行图案化，从而提高光提取效率的发光元件。

本实用新型要解决的又一课题是提供一种控制ZnO透明电极的形状，从而电特性得到提高的发光元件。

技术方案

根据本实用新型的一实施例的发光元件包括：第一导电型半导体层；台面，位于所述第一导电型半导体层上，且包括位于活性层及所述活性层上的第二导电型半导体层；ZnO透明电极，位于所述台面上；第一电极，位于所述第一导电型半导体层上；以及第二电极，至少一部分位于所述ZnO透明电极上，且包括第二电极焊盘以及从所述第二电极焊盘延伸的一个以上的第二电极延伸部，其中，所述第二电极延伸部与所述ZnO透明电极接触，所述ZnO透明电极包括第一区域及第二区域，所述第一区域包括向所述ZnO透明电极上表面的上部凸出且以预定的图案布置的多个凸出部，与所述多个凸出部的高度对应的部分的厚度大于所述第二区域的厚度，所述多个凸出部之间的间距小于从所述第二电极延伸部至邻近于所述第二电极延伸部的一凸出部之间的水平方向最短距离。

所述ZnO透明电极的第一区域的最大厚度可以是所述ZnO透明电极的第二区域的厚度的2至6倍。

所述ZnO透明电极的第二区域可以具有250nm以上的厚度。

所述ZnO透明电极的第二区域可以具有300至500nm的厚度。

所述ZnO透明电极的凸出部可以具有1至1.5μm的高度。

所述凸出部各自的下表面的直径或者对应所述凸出部各自的下表面的内切圆的直径可以是所述凸出部间的间距的1.5至3倍。

所述凸出部各自的下表面的直径或者对应于所述凸出部各自的下表面的内切圆的直径可以为1至3μm。