[其他]薄膜元件有效
| 申请号： | 201690001309.5 | 申请日： | 2016-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN208706584U | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 中矶俊幸 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 舒艳君;李洋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 抗蚀剂膜 外部电极 布线导体 保护膜 薄膜元件 接触孔 侧面 基材 本实用新型 方向观察 覆盖 整周 配置 | ||
【权利要求书】：
1.一种薄膜元件，其特征在于，具备：
基材；
布线导体膜，形成在所述基材的表面；
保护膜，至少覆盖在所述布线导体膜的表面，并且在俯视时与所述布线导体膜重叠的位置具有接触孔；
外部电极，形成在所述接触孔内并且形成在所述布线导体膜的表面，比所述保护膜厚，具有侧面；以及
第一抗蚀剂膜以及第二抗蚀剂膜，覆盖在所述保护膜的表面，
所述第一抗蚀剂膜与所述外部电极的所述侧面的整周接触，
所述第二抗蚀剂膜与所述外部电极的所述侧面以及所述第一抗蚀剂膜分离地配置，
所述外部电极具有沿着所述侧面的整周而形成的檐部，
所述第一抗蚀剂膜在俯视时与所述檐部重叠。
2.根据权利要求1所述的薄膜元件，其特征在于，
所述第一抗蚀剂膜是热固化性树脂。
3.根据权利要求1所述的薄膜元件，其特征在于，
所述外部电极的所述侧面从底面朝向表面形成为倒锥形。
4.根据权利要求1～3中任意一项所述的薄膜元件，其特征在于，
所述布线导体膜是以铜为主要成分的金属膜，
所述保护膜是以钛为主要成分的金属膜，
所述外部电极是以镍为主要成分的金属。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
