[发明专利]具有多个层叠的半导体设备及方法

权利要求书

1.一种形成存储器构造的方法，其包括：

形成多个垂直布置的层叠，每一层叠包括与所述层叠相关联的相应电荷存储装置的存取线，每一层叠还包括相应外围晶体管的源极、沟道及漏极中的至少一者；

形成将所述垂直布置的层叠彼此分离的电介质层；以及

形成多个柱，所述多个柱包括延伸穿过所述多个垂直布置的层叠的第一半导体材料，所述多个柱中的第一柱包括与相应层叠相关联的多个垂直布置的电荷存储装置的沟道，且所述多个柱中的第二柱包括所述外围晶体管中的至少一者的栅极。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个垂直布置的层叠各自包括第二半导体材料。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述多个垂直布置的层叠各自包括在含有所述外围晶体管的第一区域中的所述第二半导体材料，还包括在含有所述电荷存储装置的第二区域中的金属。

4.根据权利要求3所述的方法，其中相应外围晶体管的源极、沟道及漏极中的所述至少一者是由在所述第一区域中的所述第二半导体材料形成的，且其中所述存取线是由在所述第二区域中的所述金属形成的。

5.根据权利要求1所述的方法，其中每一存取线耦合到多个所述外围晶体管中的相应外围晶体管的所述源极和所述漏极中的一者。

6.根据权利要求2所述的方法，其进一步包括：

形成延伸穿过所述第二半导体材料的所述层叠且将所述第二半导体材料的所述层叠的第一部分与所述第二半导体材料的所述层叠的第二部分分离的狭槽，所述第一部分包含所述电荷存储装置的第一群组，所述第二部分包含所述电荷存储装置的第二群组。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述第一柱是U形柱，其延伸穿过所述第一和第二群组中的相应电荷存储装置。

8.一种存储器构造，其包括：

第一半导体材料的多个垂直间隔开的层叠，每一层叠包括至少部分地围绕第一区域中的多个电荷存储装置的存取线，每一层叠还包括第二区域中的相应外围晶体管的源极、沟道和漏极中的至少一者；以及

多个柱，其包括延伸穿过所述第一半导体材料的所述层叠的多晶硅，所述多个柱中的第一柱包括与所述第一半导体材料的相应层叠相关联的多个电荷存储装置的沟道，且所述多个柱中的第二柱包括所述外围晶体管中的至少一个外围晶体管的栅极。

9.根据权利要求8所述的存储器构造，其中每一存取线耦合到所述外围晶体管中的相应外围晶体管的所述源极和所述漏极中的一者。

10.根据权利要求8所述的存储器构造，其中：

所述第一半导体材料包括n型多晶硅。

11.根据权利要求8所述的存储器构造，其中具有由所述第二柱形成的栅极的所述至少一个外围晶体管包括多个栅极。

12.根据权利要求8所述的存储器构造，其进一步包括：

穿过所述第一半导体材料的所述层叠的狭槽，所述狭槽将所述第一半导体材料的所述层叠的第一部分与所述第一半导体材料的所述层叠的第二部分分离，所述第一部分包含所述电荷存储装置的第一群组，所述第二部分包含所述电荷存储装置的第二群组，

其中所述第一柱是U形柱，其延伸穿过所述第一和第二群组中的相应电荷存储装置。

13.根据权利要求8所述的存储器构造，其中所述第一半导体材料包括多晶硅。