[发明专利]具有多个层叠的半导体设备及方法

说明书

本发明涉及具有多个层叠的半导体设备及方法。本发明揭示设备及方法，包含一种设备，所述设备包含第一半导体材料的若干个层叠，每一层叠包含至少一个存储器单元的至少一个存取线及至少一个外围晶体管的至少一个源极、沟道及/或漏极，所述至少一个外围晶体管例如为在存取线解码器电路或数据线多路复用电路中使用的外围晶体管。所述设备还可包含延伸穿过所述第一半导体材料的所述层叠的第二半导体材料的若干个柱，每一柱包含所述存储器单元中的至少一者的源极、沟道及/或漏极或者所述外围晶体管中的至少一者的栅极。还连同其它实施例一起描述了形成此设备的方法。

分案申请的相关信息

本申请是国际申请号为PCT/US2012/035596、申请日为2012年4月27日、发明名称为“具有多个层叠的半导体设备及方法”的PCT申请进入中国国家阶段后申请号为201280028890.6的中国发明专利申请的分案申请。

优先权申请案

本申请案主张来自2011年4月28日提出申请的第13/096,822号美国申请案的优先权权益，所述美国申请案以全文引用的方式并入本文中。

技术领域

本发明涉及半导体领域。尤其地，本发明涉及具有多个层叠的半导体设备及方法。

背景技术

已在许多电子装置(例如个人数字助理(PDA)、膝上型计算机、移动电话及数码相机) 中使用具有多层叠的半导体构造。这些半导体构造中的一些半导体构造具有电荷存储晶体管的阵列。

发明内容

本发明公开了一种半导体设备，其包括多个半导体材料层叠，所述半导体设备包括：存储器单元的一部分，其在所述半导体材料层叠中的特定一个半导体材料层叠中；及外围晶体管的一部分，其在所述半导体材料层叠中的所述特定一个半导体材料层叠中，其中穿过所述半导体材料层叠的狭槽将第一构造中的所述存储器单元的所述部分与第二构造中的所述外围晶体管的所述部分分离。

附图说明

在随附图式的图中通过实例而非限制方式图解说明一些实施例，其中：

图1是根据本发明的各种实施例的半导体存储器装置的三维视图；

图2是根据本发明的各种实施例的半导体构造的前视图；

图3是根据本发明的各种实施例的半导体构造的前视图；

图4是根据本发明的各种实施例的半导体构造的前视图；

图5是根据本发明的各种实施例的半导体构造的俯视图；

图6是根据本发明的各种实施例的半导体构造的俯视图；

图7是根据本发明的各种实施例的半导体构造的俯视图；

图8是根据本发明的各种实施例的半导体构造的俯视图；

图9是根据本发明的各种实施例的半导体构造的俯视图；

图10是根据本发明的各种实施例的半导体构造的俯视图；

图11是根据本发明的各种实施例的解码器晶体管的三维视图；

图12是根据本发明的各种实施例的存储器单元的三维视图；

图13是根据本发明的各种实施例的半导体构造的示意图；

图14是根据本发明的各种实施例的半导体构造的俯视图。

图15是根据本发明的各种实施例的半导体构造的截面图。

图16是根据本发明的各种实施例的半导体构造的截面图。