[发明专利]一种显示基板及其制造方法、显示装置

权利要求书

1.一种显示基板，其特征在于，包括衬底基板和图形化的黑矩阵，所述衬底基板设置有凹槽，所述黑矩阵位于所述凹槽内，且所述黑矩阵对应于所述凹槽的开口的表面与所述衬底基板上所述凹槽的开口所在的表面平齐。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述黑矩阵包括依次层叠设置的第一电极、P型半导体、N型半导体和第二电极，所述P型半导体与所述N型半导体共同构成PN结，所述第一电极与所述凹槽的槽底接触，且所述第一电极为透明电极。

3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述P型半导体为P型硅，所述N型半导体为N型硅，所述N型硅中掺杂有磷；

所述第一电极和所述第二电极均为金属电极或金属氧化物导电电极。

4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括图形化的彩膜层，所述彩膜层位于所述衬底基板和所述黑矩阵上。

5.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求1～4任一所述的显示基板。

6.一种显示基板的制造方法，其特征在于，用于制造如权利要求1～4任一所述的显示基板，所述显示基板的制造方法包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上形成凹槽；

在所述衬底基板上形成图形化的黑矩阵，所述黑矩阵位于所述凹槽内，且所述黑矩阵对应于所述凹槽的开口的表面与所述衬底基板上所述凹槽的开口所在的表面平齐。

7.根据权利要求6所述的显示基板的制造方法，其特征在于，所述在所述衬底基板上形成凹槽的步骤包括：

在所述衬底基板上涂覆第一光刻胶；

对所述第一光刻胶进行曝光；

对所述第一光刻胶进行显影，暴露出所述衬底基板上需要形成所述凹槽的区域；

对残留的所述第一光刻胶进行固化。

对所述衬底基板上需要形成所述凹槽的区域进行刻蚀，形成所述凹槽；

去除残留的所述第一光刻胶。

8.根据权利要求7所述的显示基板的制造方法，其特征在于，所述衬底基板为玻璃基板，对所述衬底基板上需要形成所述凹槽的区域进行刻蚀时，刻蚀液为氢氟酸；

对所述衬底基板上需要形成所述凹槽的区域进行刻蚀时，采用瀑布流式方式或直立式方式。

9.根据权利要求6所述的显示基板的制造方法，其特征在于，所述在所述衬底基板上形成图形化的黑矩阵的步骤包括：

在所述衬底基板上沉积第一电极层；

在所述第一电极层上沉积P型硅层；

对所述P型硅层的表面进行磷扩散，形成N型硅层，所述P型硅层与所述N型硅层共用构成PN结；

在所述N型硅层上沉积第二电极层；

在所述第二电极层上涂覆第二光刻胶；

对所述第二光刻胶进行曝光；

对所述第二光刻胶进行显影，暴露出所述第二电极层上除与所述凹槽对应的区域以外的区域；

对残留的所述第二光刻胶进行固化；

依次对所述第二电极层、所述N型硅层、所述P型硅层和所述第一电极层进行刻蚀，形成图形化的所述黑矩阵，其中，对所述第二电极层和所述第一电极层分别进行刻蚀时采用湿刻方式，对所述N型硅层和所述P型硅层进行刻蚀时采用干刻方式；

去除残留的所述第二光刻胶；

对所述衬底基板和所述黑矩阵进行研磨，使所述黑矩阵对应于所述凹槽的开口的表面与所述衬底基板上所述凹槽的开口所在的表面平齐。

10.根据权利要求6所述的显示基板的制造方法，其特征在于，所述显示基板的制造方法还包括：

在所述衬底基板和所述黑矩阵上形成图形化的彩膜层。