[发明专利]环绕式沟槽接触部结构和制作方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

从单晶硅衬底延伸穿过隔离区的第一硅主体，所述第一硅主体具有顶部和横向相对的侧壁；

从单晶硅衬底延伸穿过隔离区的第二硅主体，所述第二硅主体具有顶部和横向相对的侧壁，并且所述第二硅主体与所述第一硅主体平行；

位于所述第一硅主体的顶部和所述第一硅主体的横向相对的侧壁之上、位于所述第二硅主体的顶部和所述第二硅主体的横向相对的侧壁之上、并且位于所述隔离区的一部分之上的栅电极，所述栅电极限定所述第一硅主体中的第一沟道区以及所述第二硅主体中的第二沟道区；

位于所述栅电极的第一侧的所述第一沟道区的第一端的第一外延硅锗源极区；

位于所述栅电极的第一侧的所述第二沟道区的第一端的第二外延硅锗源极区，所述第二外延硅锗源极区与所述第一外延硅锗源极区横向相邻但不与所述第一外延硅锗源极区接触或合并；

在所述第一外延硅锗源极区与所述第二外延硅锗源极区的横向相邻部分之间的第一缝隙，所述第一缝隙位于所述隔离区的最上部表面之上；

位于所述第一外延硅锗源极区与所述第二外延硅锗源极区之上的第一接触部，所述第一接触部包括：

位于所述第一外延硅锗源极区与所述第二外延硅锗源极区之上且位于所述第一缝隙之上但不位于所述第一缝隙之内的第一氮化钛阻挡层，其中，所述第一氮化钛阻挡层的最底部基本上是平坦的；以及

位于所述第一氮化钛阻挡层的最底部上且位于所述第一氮化钛阻挡层的横向相对的侧壁之间的第一钨插塞；

位于所述栅电极的第二侧的所述第一沟道区的第二端的第一外延硅锗漏极区，所述栅电极的第二侧与所述栅电极的第一侧相对；

位于所述栅电极的第二侧的所述第二沟道区的第二端的第二外延硅锗漏极区，所述第二外延硅锗漏极区与所述第一外延硅锗漏极区横向相邻但不与所述第一外延硅锗漏极区接触或合并；

在所述第一外延硅锗漏极区与所述第二外延硅锗漏极区的横向相邻部分之间的第二缝隙，所述第二缝隙位于所述隔离区的最上部表面之上；以及

位于所述第一外延硅锗漏极区与所述第二外延硅锗漏极区之上的第二接触部，所述第二接触部包括：

位于所述第一外延硅锗漏极区与所述第二外延硅锗漏极区之上且位于所述第二缝隙之上但不位于所述第二缝隙之内的第二氮化钛阻挡层，其中，所述第二氮化钛阻挡层的最底部基本上是平坦的；以及

位于所述第二氮化钛阻挡层的最底部上且位于所述第二氮化钛阻挡层的横向相对的侧壁之间的第二钨插塞。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一接触部位于所述第一外延硅锗源极区的上方并且与所述第一外延硅锗源极区间隔开，并且所述第一接触部位于所述第二外延硅锗源极区的上方并且与所述第二外延硅锗源极区间隔开，并且其中，所述第二接触部位于所述第一外延硅锗漏极区的上方并且与所述第一外延硅锗漏极区间隔开，并且所述第二接触部位于所述第二外延硅锗漏极区的上方并且与所述第二外延硅锗漏极区间隔开。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，还包括：

位于所述第一接触部与所述第一外延硅锗源极区之间且位于所述第一接触部与所述第二外延硅锗源极区之间的第一接触金属层；以及

位于所述第二接触部与所述第一外延硅锗漏极区之间且位于所述第二接触部与所述第二外延硅锗漏极区之间的第二接触金属层。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其中，所述第一钨插塞和所述第二钨插塞具有比所述第一接触金属层和所述第二接触金属层低的电阻率。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一氮化钛阻挡层与所述第二氮化钛阻挡层均具有1至5纳米的厚度。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一氮化钛阻挡层与所述第二氮化钛阻挡层均具有2纳米的厚度。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：

位于所述栅电极与所述第一硅主体之间且位于所述栅电极与所述第二硅主体之间的栅极电介质层。

8.根据权利要求7所述的半导体结构，其中，所述栅极电介质层包括氧化铪层，并且所述栅电极包括金属。