[发明专利]PLDMOS器件及其制造方法

权利要求书

1.一种PLDMOS器件，其特征在于，包括：

N型外延层；

P阱，形成于所述N型外延层的选定区域中，所述P阱作为漂移区；

在所述P阱区域的所述N型外延层表面有场氧化层，令该场氧化层为第一场氧化层；

沟道区由所述N型外延层叠加N型离子注入杂质形成，通过所述N型离子注入杂质提高所述沟道区的N型掺杂浓度并从而抑制源漏穿通；

在所述沟道区表面形成有P型离子注入杂质，通过所述P型离子注入杂质抵消所述N型离子注入杂质对所述沟道区的表面的影响，从而使器件的阈值电压向由所述N型外延层的本体掺杂浓度决定的初始阈值电压恢复；

多晶硅栅，所述多晶硅栅覆盖在所述沟道区上方并延伸到所述P阱以及所述第一场氧化层的第一侧表面上；

所述多晶硅栅和底部的所述沟道区以及所述P阱之间隔离有栅介质层；

源区由形成于所述N型外延层表面且和所述多晶硅栅第一侧自对准的P+区组成；

漏区由形成于所述P阱表面且和所述第一场氧化层第二侧自对准的P+区组成。

2.如权利要求1所述的PLDMOS器件，其特征在于：所述N型外延层形成于P型衬底表面上方，且所述N型外延层和所述P型衬底之间隔离有N型埋层。

3.如权利要求1所述的PLDMOS器件，其特征在于：在所述N型外延层表面还形成有由N+区组成的背栅引出区。

4.如权利要求3所述的PLDMOS器件，其特征在于：所述背栅引出区和所述源区之间间隔有场氧化层，令该场氧化层为第二场氧化层，所述第二场氧化层和所述第一场氧化层采用相同工艺同时形成。

5.如权利要求1所述的PLDMOS器件，其特征在于：所述栅介质层的材料为热氧化层。

6.如权利要求1所述的PLDMOS器件，其特征在于，还包括：层间膜，接触孔，正面金属层，由所述正面金属层图形化形成源极、漏极和栅极，所述源极通过接触孔和所述源区接触，所述漏极通过接触孔和所述漏区接触，所述栅极通过接触孔和所述多晶硅栅接触，各所述接触孔都穿过所述层间膜。

7.如权利要求1所述的PLDMOS器件，其特征在于：沟道长度为所述源区到所述P阱之间的间距，所述沟道长度的最小值在2.5微米以下。

8.如权利要求1或4所述的PLDMOS器件，其特征在于：所述场氧化层采用局部场氧化工艺形成。

9.如权利要求1所述的PLDMOS器件，其特征在于：所述N型离子注入杂质采用全面普注形成，所述P型离子注入杂质采用全面普注形成。

10.如权利要求1或9所述的PLDMOS器件，其特征在于：所述N型离子注入杂质对应的注入杂质为磷，注入能量为100kev～500kev，注入剂量为1e11cm^-2～1e13cm^-2；所述P型离子注入杂质对应的注入杂质为硼，注入能量为10kev～100kev，注入剂量为1e11cm^-2～1e13cm^-2。