[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及其制备方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括衬底，设置在所述衬底上的多晶硅有源层，其特征在于，还包括设置在所述多晶硅有源层靠近所述衬底一侧表面的第一非晶硅层；

所述多晶硅有源层与所述第一非晶硅层在所述衬底上的正投影重叠；

还包括设置在所述衬底靠近所述第一非晶硅层一侧表面的缓冲层；

所述缓冲层上设置有凹槽，所述第一非晶硅层设置在所述凹槽内。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一非晶硅层的厚度在之间；

所述多晶硅有源层的厚度在之间。

3.根据权利要求1-2任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括依次设置在所述多晶硅有源层远离所述衬底一侧的栅绝缘层、栅极、层间绝缘层、以及源极和漏极；

所述源极和所述漏极分别通过设置在所述层间绝缘层和所述栅绝缘层上的过孔与所述多晶硅有源层接触。

4.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求1-3任一项所述的薄膜晶体管。

5.一种薄膜晶体管的制备方法，包括在衬底上通过结晶化处理形成多晶硅有源层，其特征在于，在形成所述多晶硅有源层之前，所述制备方法还包括形成第一非晶硅层；

所述第一非晶硅层与所述多晶硅有源层接触，且所述多晶硅有源层与所述第一非晶硅层在所述衬底上的正投影重叠；

还包括在所述衬底靠近所述第一非晶硅层一侧表面形成缓冲层；

形成所述缓冲层和所述第一非晶硅层包括：

在所述衬底上形成缓冲层薄膜，并形成第一光刻胶层；

采用第一掩模板对所述第一光刻胶层进行曝光，显影后露出与所述多晶硅有源层对应区域的所述缓冲层薄膜；

采用刻蚀工艺对所述缓冲层薄膜进行刻蚀，形成具有凹槽的所述缓冲层，并去除剩余的所述第一光刻胶层；

在所述缓冲层上形成第一非晶硅薄膜，并形成第二光刻胶层，采用第二掩模板对所述第二光刻胶层进行曝光、显影后使所述凹槽上方的所述第二光刻胶层保留；

采用刻蚀工艺对所述第一非晶硅薄膜和所述缓冲层进行刻蚀，直至形成于所述凹槽内的所述第一非晶硅层的上表面与所述缓冲层的除所述凹槽外的其他位置处的表面齐平；

去除剩余的所述第二光刻胶层。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述第一掩模板和所述第二掩模板为同一个掩模板；

所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层的材料互为正性光刻胶和负性光刻胶。

7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，形成所述多晶硅有源层，包括：

在形成有所述第一非晶硅层的衬底上，形成第二非晶硅薄膜；

对所述第二非晶硅薄膜进行结晶化处理，使所述第二非晶硅薄膜形成为多晶硅薄膜；

在所述多晶硅薄膜上形成第三光刻胶层，并采用所述第二掩模板对所述第三光刻胶层进行曝光、显影；

采用刻蚀工艺对所述多晶硅薄膜进行刻蚀，形成所述多晶硅有源层，并去除剩余的所述第三光刻胶层；或者，

形成所述多晶硅有源层，包括：

在形成有所述第一非晶硅层的衬底上，形成第二非晶硅薄膜，并形成第三光刻胶层；

采用所述第二掩模板对所述第三光刻胶层进行曝光、显影；

采用刻蚀工艺对所述第二非晶硅薄膜进行刻蚀，形成第二非晶硅层，并去除剩余的所述第三光刻胶层；

对所述第二非晶硅层进行结晶化处理，形成所述多晶硅有源层。

8.根据权利要求5-7任一项所述的制备方法，其特征在于，所述刻蚀工艺为干法刻蚀工艺。

9.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述第一非晶硅层的厚度在之间；

所述多晶硅有源层的厚度在之间。

10.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括权利要求5-9任一项所述的薄膜晶体管的制备方法。