[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及其制备方法

说明书

本发明实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及其制备方法，涉及显示技术领域，可提高多晶硅有源层的晶粒尺寸及均一性。所述薄膜晶体管包括衬底，设置在所述衬底上的多晶硅有源层，还包括设置在所述多晶硅有源层靠近所述衬底一侧表面的第一非晶硅层；所述多晶硅有源层与所述第一非晶硅层在所述衬底上的正投影重叠。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及其制备方法。

背景技术

低温多晶硅薄膜晶体管(Low Temperature Poly-Silicon-Thin FilmTransistor，简称LTPS-TFT)显示器具有高分辨率、反应速度快、高亮度、高开口率等优点，加上由于LTPS的特点，使得其具有高的电子移动率。

其中，在制备LTPS-TFT的过程中，一般是通过对非晶硅薄膜进行结晶化处理，而形成多晶硅薄膜。

然而，通过此过程形成的多晶硅薄膜，其晶粒大小会随着激光能量的差异而出现较大的波动，导致形成晶粒大小不均匀的多晶硅薄膜，从而影响TFT的性能。

发明内容

本发明的实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及其制备方法，可提高多晶硅有源层的晶粒尺寸及均一性。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

第一方面，提供一种薄膜晶体管，包括衬底，设置在所述衬底上的多晶硅有源层，还包括设置在所述多晶硅有源层靠近所述衬底一侧表面的第一非晶硅层；所述多晶硅有源层与所述第一非晶硅层在所述衬底上的正投影重叠。

优选的，所述第一非晶硅层的厚度在之间；所述多晶硅有源层的厚度在之间。

优选的，所述薄膜晶体管还包括设置在所述衬底靠近所述第一非晶硅层一侧表面的缓冲层；所述缓冲层上设置有凹槽，所述第一非晶硅层设置在所述凹槽内。

基于上述，优选的，所述薄膜晶体管还包括依次设置在所述多晶硅有源层远离所述衬底一侧的栅绝缘层、栅极、层间绝缘层、以及源极和漏极；所述源极和所述漏极分别通过设置在所述层间绝缘层和所述栅绝缘层上的过孔与所述多晶硅有源层接触。

第二方面，提供一种阵列基板，包括上述第一方面的薄膜晶体管。

第三方面，提供一种薄膜晶体管的制备方法，包括在衬底上通过结晶化处理形成多晶硅有源层，在形成所述多晶硅有源层之前，所述制备方法还包括形成第一非晶硅层；所述第一非晶硅层与所述多晶硅有源层接触，且所述多晶硅有源层与所述第一非晶硅层在所述衬底上的正投影重叠。

优选的，所述制备方法还包括在所述衬底靠近所述第一非晶硅层一侧表面形成缓冲层；基于此，形成所述缓冲层和所述第一非晶硅层包括：

在所述衬底上形成缓冲层薄膜，并形成第一光刻胶层；采用第一掩模板对所述第一光刻胶层进行曝光，显影后露出与所述多晶硅有源层对应区域的所述缓冲层薄膜；采用刻蚀工艺对所述缓冲层薄膜进行刻蚀，形成具有凹槽的所述缓冲层，并去除剩余的所述第一光刻胶层；在所述缓冲层上形成第一非晶硅薄膜，并形成第二光刻胶层，采用第二掩模板对所述第二光刻胶层进行曝光、显影后使所述凹槽上方的所述第二光刻胶层保留；采用刻蚀工艺对所述第一非晶硅薄膜和所述缓冲层进行刻蚀，直至形成于所述凹槽内的所述第一非晶硅层的上表面与所述缓冲层的除所述凹槽外的其他位置处的表面齐平；去除剩余的所述第二光刻胶层。

进一步优选的，所述第一掩模板和所述第二掩模板为同一个掩模板；所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层的材料互为正性光刻胶和负性光刻胶。