[发明专利]一种IGBT驱动电路

权利要求书

1.一种IGBT驱动电路，其特征在于，包括，驱动光耦、开关驱动电路、软关断电路以及饱和压降检测电路； 所述驱动光耦通过所述开关驱动电路与IGBT的门极连接，用于控制IGBT的通断； 所述饱和压降检测电路两个输入端分别与所述IGBT的集电极、射极连接，用于检测IGBT的关断电压是否超出预设阈值； 所述驱动光耦还通过所述软关断电路与IGBT的门极连接，并接收所述饱和压降检测电路的检测结果，在IGBT的关断电压超出预设阈值时，所述驱动光耦结束对所述开关驱动电路的控制，采用所述软关断电路关闭所述IGBT；所述开关驱动电路包括开启电路和关断电路；所述开启电路包括第一PMOS管Q1，所述第一PMOS管Q1通过第一电阻R1自所述驱动光耦接收开启信号，同时所述第一PMOS管Q1的源极与电源连接，漏极通过并接的第一电阻组与被控IGBT的门极连接； 所述关断电路包括第一NMOS管Q2，所述第一NMOS管Q2通过第二电阻R2自所述驱动光耦接收关断信号，同时所述第一NMOS管Q2的源极接负压电源，漏极通过并接的第二电阻组与被控IGBT的门极连接。

2.如权利要求1所述的IGBT驱动电路，其特征在于，还包括PWM调理电路，所述PWM调理电路用于将PWM波进行滤波、毛刺去除后输入至所述驱动光耦，所述驱动光耦根据该PWM波对IGBT进行驱动控制。

3.如权利要求1所述的IGBT驱动电路，其特征在于，报警反馈电路，所述报警反馈电路自所述驱动光耦接收报警信号，并将该信号反馈至控制器。

4.如权利要求1所述的IGBT驱动电路，其特征在于，所述饱和压降检测电路包括，第一端口及第二端口，所述第一端口及第二端口分别与被控IGBT的集电极、射极连接，用于检测被控IGBT的集电极与射极之间的极间电压； 还包括，第一二极管D1、第二二极管D2、第一稳压二极管ZD1、第二稳压二极管ZD2、第三电阻R3、第四电阻R4及第一电容C1； 所述第一二极管D1的负极与第一端口、第二端口连接，正极与第一稳压二极管ZD1的正极连接，第一稳压二极管ZD1的负极通过第三电阻R3与并接的第一电容C1、第二二极管D2、第二稳压二极管ZD2连接，其中，与第二二极管D2负极和第二稳压二极管ZD2负极连接； 所述第一稳压二极管ZD1的负极还通过第三电阻R3、第四电阻R4与所述开关驱动电路的输出端连接。

5.如权利要求1所述的IGBT驱动电路，其特征在于，所述软关断电路包括第二NMOS管Q3，所述第二NMOS管Q3通过第五电阻R5自所述驱动光耦接收软关断信号，同时所述第二NMOS管Q3的源极接负压电源，漏极通过第六电阻R6接被控IGBT的门极。

6.如权利要求1所述的IGBT驱动电路，其特征在于，所述开关驱动电路、软关断电路和被控IGBT之间还设置有第一门极保护电路，所述第一门极保护电路包括第三二极管D3、第七电阻R7、第三稳压二极管ZD3及第四稳压二极管ZD4； 所述第三二极管D3的正极与所述开关驱动电路、软关断电路的输出端连接，负极与电源连接； 所述第七电阻一端与所述开关驱动电路、软关断电路的输出端连接，另一端接地； 所述第三稳压二极管ZD3与第四稳压二极管ZD4反向串联，其中，第三稳压二极管ZD3的负极与所述开关驱动电路、软关断电路的输出端连接，第四稳压二极管ZD4负极接地。

7.如权利要求1所述的IGBT驱动电路，其特征在于，还包括动态有源钳位保护电路，所述动态有源钳位保护电路的输入端与被控IGBT的集电极连接，第一输出端与所述开关驱动电路的输出端连接，第二输出端与所述关断电路的输入端连接；用于检测集电极电压是否超出预设阈值，当超出阈值时，降低该电压。