[发明专利]一种IGBT驱动电路

说明书

本发明涉及电机驱动电路，特别涉及一种IGBT驱动电路。本发明提供的IGBT驱动电路，包括，驱动光耦、开关驱动电路、软关断电路以及饱和压降检测电路；所述驱动光耦通过所述开关驱动电路与IGBT的门极连接，用于控制IGBT的通断；饱和压降检测电路检测IGBT的集电极、射极之间极间电压，在关断被控IGBT时，如果检测到IGBT极间电压超出阈值，则控制软关断电路对IGBT进行关断，以降低被控IGBT关断时的瞬时极间电压，从而降低电路风险。

技术领域

本发明涉及电机驱动领域，特别涉及一种IGBT驱动电路。

背景技术

现有技术中， IGBT是伺服电机驱动电路中必不可少的开关器件，但是由于IGBT的固有特性，如果对IGBT采用硬关断方式，在关断瞬间其C极、E极极间电压会出现飙高至额定值以上数倍，这对器件安全造成了极大的危害。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术中用于电机控制的IGBT采用硬关断方式时，在关断瞬间其C极、E极极间电压会出现飙高至额定值以上数倍的问题，提供一种避免IGBT在关断时C极、E极极间电压飙高的驱动电路。

为了实现上述发明目的，本发明提供了以下技术方案：

一种IGBT驱动电路，包括，驱动光耦、开关驱动电路、软关断电路以及饱和压降检测电路；

所述驱动光耦通过所述开关驱动电路与IGBT的门极连接，用于控制IGBT的通断；

所述饱和压降检测电路两个输入端分别与所述IGBT的集电极、射极连接，用于检测IGBT的关断电压是否超出预设阈值；

所述驱动光耦还通过所述软关断电路与IGBT的门极连接，并接收所述饱和压降检测电路的检测结果，在IGBT的关断电压超出预设阈值时，所述驱动光耦结束对所述开关驱动电路的控制，采用所述软关断电路关闭所述IGBT。

还包括PWM调理电路，所述PWM调理电路用于将PWM波进行滤波、毛刺去除后输入至所述驱动光耦，所述驱动光耦根据该PWM波对IGBT进行驱动控制。

进一步的，报警反馈电路，所述报警反馈电路自所述驱动光耦接收报警信号，并将该信号反馈至控制器。

进一步的，所述开关驱动电路包括开启电路和关断电路；

所述开启电路包括第一PMOS管Q1，所述第一PMOS管Q1通过第一电阻R3自所述驱动光耦接收开启信号，同时所述第一PMOS管Q1的源极与电源连接，漏极通过并接的第一电阻R3组与被控IGBT的门极连接；

所述关断电路包括第一NMOS管Q2，所述第一NMOS管Q2通过第二电阻R2自所述驱动光耦接收关断信号，同时所述第一NMOS管Q2的源极接负压电源，漏极通过并接的第二电阻组与被控IGBT的门极连接。

进一步的，所述饱和压降检测电路包括，第一端口及第二端口，所述第一端口及第二端口分别与被控IGBT的集电极、射极连接，用于检测被控IGBT的集电极与射极之间的极间电压；

还包括，第一二极管D1、第二二极管D2、第一稳压二极管ZD1、第二稳压二极管ZD2、第三电阻R3、第四电阻R4及第一电容C1；

所述第一二极管D1的负极与第一端口、第二端口连接，正极与第一稳压二极管ZD1的正极连接，第一稳压二极管ZD1的负极通过第三电阻R3与并接的第一电容C1、第二二极管D2、第二稳压二极管ZD2连接，其中，与第二二极管D2负极和第二稳压二极管ZD2负极连接；

所述第一稳压二极管ZD1的负极还通过第三电阻R3、第四电阻R4与所述开关驱动电路的输出端连接。