[发明专利]半导体存储设备以及包括其的存储系统

说明书

一种半导体存储设备包括：正常存储块，包括多个正常存储单元；冗余存储块，包括多个冗余存储单元，其中，所述多个冗余存储单元用于代替正常存储单元当中的缺陷单元；正常缓冲块，被配置为读出并放大存储在正常存储块中的数据；冗余缓冲块，被配置为读出并放大存储在冗余存储块中的数据；正常锁存块，被配置为基于正常控制信号从正常缓冲块取得数据并存储所述数据；以及冗余锁存块，被配置为基于冗余控制信号选择性地从冗余缓冲块取得数据并存储所述数据。

对相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年1月8日提交的第10-2016-0002705号韩国专利申请的优先权，该申请的公开通过引用而全部合并于此。

技术领域

本发明构思的示例实施例涉及一种半导体存储设备和/或一种包括所述半导体存储设备的存储系统。例如，至少某些示例实施例涉及一种用于选择性地控制冗余锁存器的操作的半导体存储设备和/或一种包括所述半导体存储设备的存储系统。

背景技术

当半导体存储设备、诸如动态随机存取存储器(DRAM)中的存储单元之中即使单个存储单元具有缺陷时，整个半导体存储设备会被分类为劣品。此时，就产量而言，丢弃所有存储单元会是效率低下的。为了避免这种低效并提高产量，可在半导体存储设备中提供冗余存储单元，并且，有故障的存储单元(即，缺陷单元)可由冗余存储单元来代替。

当对缺陷单元执行读取操作时，缺陷单元可由包括在冗余存储块中的冗余存储单元来代替，使得缺陷单元可被修复。例如，当正常列线被连接到缺陷单元时，整个正常列可由包括在冗余存储块中的冗余列线来代替。此时，一条正常列线可通过被一条冗余列线代替而得到修复。

通常，当对存储在存储单元中的数据执行读取操作时，行译码器可启用存储单元阵列中包含所述存储单元的行线(例如，字线)，并且，数据可由读出放大器来读出，并存储在锁存块中。锁存块可存储并处理多个数据以实现预取。预取是一种(例如)为了提高存储器存取速率而在对存储单元的每次存取时读取或写入多个数据的操作。

当数据被发送到锁存块时，会需要较快的速度。相应地，正常数据和冗余数据被存储在锁存器中，随后通过地址比较来实现列修复。然而，当未使用列修复时，在每次读取操作时会发生对来自冗余存储块的冗余数据的不必要传输。这种不必要传输会导致出现不必要的功耗。

发明内容

根据本发明构思的某些示例实施例，半导体存储设备可包括：正常存储块，包括多个正常存储单元；冗余存储块，包括用于代替正常存储单元当中的缺陷单元的多个冗余存储单元；正常缓冲块，被配置为用于读出并放大存储在正常存储块中的数据；冗余缓冲块，被配置为用于读出并放大存储在冗余存储块中的数据；正常锁存块，被配置为用于基于正常控制信号从正常缓冲块取得数据并存储所述数据；以及冗余锁存块，被配置为用于基于冗余控制信号选择性地从冗余缓冲块取得数据并存储所述数据。

根据本发明构思的另外的示例实施例，存储系统可包括多个半导体存储设备和被配置为用于控制所述半导体存储设备的存储控制器。所述半导体存储设备之中的每一个可包括：存储单元阵列，包括多个正常存储单元和多个冗余存储单元，其中，所述多个冗余存储单元中的每个用于代替正常存储单元当中的缺陷单元；读出放大器，被配置为用于读出并放大存储在存储单元阵列中的数据；锁存块，被配置为用于基于正常控制信号和冗余控制信号从读出放大器取得并存储数据；控制电路，被配置为用于将正常控制信号和冗余控制信号输出到锁存块；以及OTP存储器，被配置为用于存储修复信号。读出放大器可包括被配置为用于读出并放大存储在冗余存储单元中的数据的多个冗余缓冲器，并且，锁存块可包括被配置为用于访问冗余缓冲器当中的对应缓冲器的多个冗余锁存器。