[发明专利]手机壳高光处理后二次氧化工艺在审

专利信息
申请号: 201710009615.4 申请日: 2017-01-06
公开(公告)号: CN106894070A 公开(公告)日: 2017-06-27
发明(设计)人: 张秀芳;纪建彪 申请(专利权)人: 东台立讯精密电子技术有限公司
主分类号: C25D11/12 分类号: C25D11/12;C23F3/03;C23G1/12;C23G1/22
代理公司: 南京苏科专利代理有限责任公司32102 代理人: 陈忠辉
地址: 224224 江苏*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 机壳 处理 二次 氧化 工艺
【说明书】:

技术领域

发明涉及铝合金技术领域,尤其涉及一种手机壳高光处理后的二次氧化工艺。

背景技术

由于铝合金有很多优良的物理化学性能,因此被应用到国民经济的各个领域,尤其是目前日渐流行的手机,市场上几乎80%的手机电池盖都是采用铝合金。现有技术中,在经过初次阳极氧化工艺及高光处理之后,需要再次进行阳极氧化,高光表面容易出现白雾、刀纹、腐蚀等不良现象,影响了产品的外观及使用性能。

因此,针对现有技术的不足,研究出一种手机壳高光处理后的二次氧化工艺是很有意义的技术课题。

发明内容

本发明的目的是克服现有技术存在的不足,提供一种手机壳高光后处理二次氧化工艺,以消除手机壳高光处理之后出现的白雾、刀纹或腐蚀等不良现象。

本发明的目的通过以下技术方案来实现:一种手机壳高光处理后二次氧化工艺,包括以下步骤:(1)将手机壳进行脱脂除油处理;(2)将经步骤(1)处理后的手机壳进行化抛(即“化学抛光”,下同)处理;(3)将经步骤(2)处理后的手机壳进行中和处理;(4)将经步骤(3)处理后的手机壳进行碱洗处理;(5)将经步骤(4)处理后的手机壳进行中和处理;(6)将经步骤(5)处理后的手机壳进行化抛处理;(7)将经步骤(6)处理后的手机壳进行中和处理;(8)将经步骤(7)处理后的手机壳进行氧化处理,所述氧化处理中阳极氧化温度为18~20℃,阳极氧化电压为13.5~14.5V。

进一步地,上述手机壳高光处理后二次氧化工艺,其中:所述步骤(1)中脱脂剂浓度为60~80g/L。氧化槽内选用硫酸作为氧化剂。

进一步地,上述手机壳高光处理后二次氧化工艺,其中:所述步骤(2)和步骤(6)中化抛剂比例为磷酸:硫酸=(4~6):1。

更进一步地,上述手机壳高光处理后二次氧化工艺,其中:所述步骤(4)中碱洗剂浓度为60~80g/L。

更进一步地,上述手机壳高光处理后二次氧化工艺,其中:所述步骤(3)、步骤(5)和步骤(7)中中和剂优选为无氮中和剂RTL-134,其浓度为90~130g/L。

再进一步地,上述手机壳高光处理后二次氧化工艺,其中:所述步骤(8)中氧化剂优选为硫酸,其浓度为190~210g/L,氧化时间为30~50min。

本发明技术方案突出的实质性特点和显著的进步主要体现在:采用本发明所述的手机壳高光处理后二次氧化工艺,可以很好地清除手机壳高光表面容易出现白雾、刀纹或腐蚀等不良现象,其二次氧化工艺过程简单、易操作,具有很好的应用前景。

具体实施方式

本发明提出了一种手机壳高光处理后二次氧化工艺,包括以下步骤,

(1)将手机壳放入脱脂槽进行脱脂除油处理;(2)将经步骤(1)处理后的手机壳放入化抛槽进行化抛处理;(3)将经步骤(2)处理后的手机壳放入中和槽进行中和处理;(4)将经步骤(3)处理后的手机壳放入碱洗槽进行碱洗处理;(5)将经步骤(4)处理后的手机壳放入中和槽进行中和处理;(6)将经步骤(5)处理后的手机壳放入化抛槽进行化抛处理;(7)将经步骤(6)处理后的手机壳放入中和槽进行中和处理;(8)将经步骤(7)处理后的手机壳放入氧化槽进行氧化处理,所述氧化处理中阳极氧化温度为18~20℃,阳极氧化电压为13.5~14.5V。步骤(1)中脱脂剂浓度为60~80g/L,步骤(2)和步骤(6)中化抛槽内化抛剂比例为磷酸:硫酸=(4~6):1,步骤(4)中碱洗剂浓度为60~80g/L,步骤(3)、步骤(5)和步骤(7)中,中和槽内使用无氮中和剂RTL-134,其浓度为90~130g/L,步骤(8)中氧化槽内选用硫酸作为氧化剂,硫酸浓度为190~210g/L,氧化时间为30~50min。

实施例1

优选地,脱脂槽内选用市场上普通脱脂剂,脱脂剂浓度为60g/L,化抛槽内化抛剂比例为磷酸:硫酸=4:1,碱洗槽内选用市场上普通碱洗剂,碱洗剂浓度为60g/L,中和槽内使用无氮中和剂RTL-134,其浓度为90g/L,氧化槽内选用硫酸作为氧化剂,硫酸浓度为190g/L,氧化时间为40min,阳极氧化温度为18℃,阳极氧化电压为13.5V。

实施例2

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东台立讯精密电子技术有限公司,未经东台立讯精密电子技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710009615.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top