[发明专利]半导体器件结构及其形成方法

权利要求书

1.一种用于形成半导体器件结构的方法，包括：

在衬底上方形成栅极堆叠件、间隔件层和介电层，其中，所述间隔件层围绕所述栅极堆叠件，以及所述介电层围绕所述间隔件层；

去除所述介电层的第一部分以在所述介电层中形成第一孔，其中，所述第一孔邻近所述间隔件层，并且所述介电层的第二部分位于所述第一孔下方；

在所述栅极堆叠件和所述间隔件层上方形成第一保护层；

在所述第一保护层上方形成第二保护层，其中，所述第二保护层包括金属化合物材料，并且所述第一保护层和所述第二保护层包括相同的金属元素；

去除所述介电层的所述第二部分以形成通孔；以及

在所述通孔中形成导电接触结构。

2.根据权利要求1所述的用于形成半导体器件结构的方法，其中，形成所述第二保护层包括：

硅化所述第一保护层的部分。

3.根据权利要求1所述的用于形成半导体器件结构的方法，还包括：

在去除所述介电层的所述第二部分之后，去除所述第一保护层和所述第二保护层。

4.根据权利要求3所述的用于形成半导体器件结构的方法，其中，去除所述第一保护层和所述第二保护层包括：

在所述第一保护层和所述第二保护层上实施湿蚀刻工艺。

5.根据权利要求1所述的用于形成半导体器件结构的方法，还包括：

在形成所述介电层之前，在所述间隔件层和所述衬底上方，以及在所述间隔件层的侧壁形成蚀刻停止层，其中，所述介电层形成在所述蚀刻停止层上方，所述第一孔暴露所述蚀刻停止层的上部，所述第一保护层还形成在所述蚀刻停止层上方，以及去除所述介电层的所述第二部分还包括：

去除位于所述介电层的所述第二部分下方的所述蚀刻停止层。

6.根据权利要求1所述的用于形成半导体器件结构的方法，其中，所述栅极堆叠件包括栅极介电层、栅电极和覆盖层，所述栅电极形成在所述栅极介电层上方，所述覆盖层形成在所述栅电极上方，以及所述第一保护层覆盖所述覆盖层。

7.根据权利要求1所述的用于形成半导体器件结构的方法，其中，形成所述第一保护层包括：

在所述栅极堆叠件、所述间隔件层和所述介电层的所述第二部分上方形成保护材料层，其中，所述保护材料层的位于所述栅极堆叠件上方的第一厚度大于所述保护材料层的位于所述介电层的所述第二部分上方的第二厚度；以及

减薄所述保护材料层以在所述保护材料层中形成开口，其中，所述开口暴露所述介电层的所述第二部分。

8.根据权利要求7所述的用于形成半导体器件结构的方法，其中，形成所述保护材料层包括：

在所述栅极堆叠件、所述间隔件层和所述介电层的所述第二部分上方实施各向异性沉积工艺。

9.一种用于形成半导体器件结构的方法，包括：

在衬底上方形成栅极堆叠件、间隔件层和介电层，其中，所述间隔件层围绕所述栅极堆叠件，以及所述介电层围绕所述间隔件层；

去除所述介电层的第一部分以在所述介电层中形成第一孔，其中，所述第一孔邻近所述间隔件层并且不穿过所述介电层；

在所述栅极堆叠件和所述间隔件层上方形成第一保护层；

使所述第一保护层与含硅气体反应以在所述第一保护层上方形成第二保护层，其中，所述第二保护层包括金属硅化物材料；

去除位于所述第一孔下方的所述介电层以形成通孔；以及

在所述通孔中形成导电接触结构。

10.根据权利要求9所述的用于形成半导体器件结构的方法，其中，去除所述第一孔下方的所述介电层包括：

在位于所述第一孔下方的所述介电层上方实施干蚀刻工艺。

11.根据权利要求9所述的用于形成半导体器件结构的方法，还包括：

在去除位于所述第一孔下方的所述介电层之后，去除所述第一保护层和所述第二保护层。