[发明专利]半导体器件结构及其形成方法

说明书

本发明实施例提供了一种用于形成半导体器件结构的方法。方法包括在衬底上方形成栅极堆叠件、间隔件层和介电层。方法包括去除介电层的第一部分以在介电层中形成第一孔。介电层的第二部分位于第一孔下方。方法包括在栅极堆叠件和间隔件层上方形成第一保护层。方法包括在第一保护层上方形成第二保护层。第二保护层包括金属化合物材料，以及第一保护层和第二保护层包括相同的金属元素。方法包括去除介电层的第二部分以形成通孔。方法包括在通孔中形成导电接触结构。本发明实施例涉及半导体器件结构及其形成方法。

技术领域

本发明实施例涉及半导体器件结构及其形成方法。

背景技术

半导体器件用于诸如个人电脑、手机、数码相机和其它电子设备的各种电子应用中。通常通过在半导体衬底上方依次沉积绝缘或介电层、导电层和半导体材料层以及使用光刻图案化各个材料层以在各个材料层上形成电路组件和元件来制造半导体器件。

然而，虽然现有的半导体制造工艺对于它们的预期目的通常已经足够，但是随着器件持续按比例缩小，它们不是在所有方面都已完全令人满意。

发明内容

根据本发明的一个实施例，提供了一种用于形成半导体器件结构的方法，包括：在衬底上方形成栅极堆叠件、间隔件层和介电层，其中，所述间隔件层围绕所述栅极堆叠件，以及所述介电层围绕所述间隔件层；去除所述介电层的第一部分以在所述介电层中形成第一孔，其中，所述第一孔邻近所述间隔件层，并且所述介电层的第二部分位于所述第一孔下方；在所述栅极堆叠件和所述间隔件层上方形成第一保护层；在所述第一保护层上方形成第二保护层，其中，所述第二保护层包括金属化合物材料，并且所述第一保护层和所述第二保护层包括相同的金属元素；去除所述介电层的所述第二部分以形成通孔；以及在所述通孔中形成导电接触结构。

根据本发明的另一实施例，还提供了一种用于形成半导体器件结构的方法，包括：在衬底上方形成栅极堆叠件、间隔件层和介电层，其中，所述间隔件层围绕所述栅极堆叠件，以及所述介电层围绕所述间隔件层；去除所述介电层的第一部分以在所述介电层中形成第一孔，其中，所述第一孔邻近所述间隔件层并且不穿过所述介电层；在所述栅极堆叠件和所述间隔件层上方形成第一保护层；使所述第一保护层与含硅气体反应以在所述第一保护层上方形成第二保护层，其中，所述第二保护层包括金属硅化物材料；去除位于所述第一孔下方的所述介电层以形成通孔；以及在所述通孔中形成导电接触结构。

根据本发明的又一实施例，还提供了一种半导体器件结构，包括：衬底；栅极堆叠件，位于所述衬底上方；蚀刻停止层，位于所述栅极堆叠件的侧壁上方；介电层，位于所述衬底上方并且围绕所述栅极堆叠件；第一导电接触结构，穿过所述介电层并且邻近所述蚀刻停止层，其中，邻近所述第一导电接触结构的所述蚀刻停止层具有第一上部和第一下部，以及所述第一上部的第一硅含量大于所述第一下部的第二硅含量。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该强调的是，根据工业中的标准实践，各个部件没有被按比例绘制。事实上，为了清楚讨论，各个部件的尺寸可以任意增大或减小。

图1A到图1N是根据一些实施例的用于形成半导体器件结构的工艺的各个阶段的顶视图。

图1A-1到图1N-1是示出了根据一些实施例的分别沿着图1A到图1N中的截面线I-I’的半导体器件结构的截面图。

图2A是根据一些实施例的半导体器件结构的顶视图。

图2B是示出根据一些实施例的沿着图2A中的截面线I-I’的半导体器件结构的截面图。

具体实施方式