[发明专利]高介电聚合复合物膜组合物、电容膜及其制备方法与封装方法

权利要求书

1.一种高分子介电电容膜，其特征在于：

依序包括一离形片、一高介电聚合复合物膜层、一感压黏着层及一基膜层；其中该高介电聚合复合物膜系形成于该离形片之可剥离面上，且包含组成物，所述组合物包含热固性树脂、紫外光硬化树脂、硅氧烷化合物改质之高介电材料粉末。

2.如权利要求1所述高分子介电电容膜，其特征在于：

该高介电材料粉末系选自由氧化铝、钛酸钡、氧化锆或二氧化钛所组成之群组。

3.如权利要求1所述高分子介电电容膜，其特征在于：

该硅氧烷化合物为N-苯基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷。

4.根据权利要求1所述的高分子介电电容膜，其特征在于：

该高介电聚合复合物膜层与该感压黏着层间的黏着力为10～60cN/25mm。

5.根据权利要求1至4任一项所述的高分子介电电容膜，其特征在于：

其系用于指纹辨识芯片或半导体封装之用途。

6.一种根据权利要求1至5任一项所述的高分子介电电容膜之制备方法，其特征在于：

包含：

(a)提供一离形片及一切割胶带，该切割胶带包含一感压黏着层及一基膜层；

(b)混合热固性树脂、紫外光硬化树脂及硅氧烷化合物改质之高介电材料粉末，获得一高介电聚合复合物浆液；

(c)将该高介电聚合复合物浆液涂覆于该离形片之可剥离面上，形成一湿膜，并烘烤形成一高介电聚合复合物膜层；

(d)将该高介电聚合复合物膜层置于该切割胶带之感压黏着层之上，并加热加压贴合，获得该高介电聚合复合物切割胶带。

7.一种半导体芯片之封装方法，其特征在于：

该方法包含剥离权利要求1至5任一项之高分子介电电容膜之离形片后，将该高介电聚合复合物膜层黏着于一表面具有电路之半导体切割基板任意面。

8.一种指纹辨识芯片之封装方法，其特征在于：该方法包含：

(a)提供一基板，该基板具有一对表面以及多个接垫，该对表面分别位于该基板的两侧，而该些接垫裸露于其中一该表面；

(b)设置一指纹辨识芯片于该基板上；将至少一导线利用反向打线的方式电性连接其中至少一该接垫以及该指纹辨识芯片；

(c)完成打线之后，剥离权利要求1至5任一项之高分子介电电容膜之离形片，将该高介电聚合复合物膜层积层于该基板上，该高介电聚合复合物膜层覆盖该指纹辨识芯片以及该导线。

9.根据权利要求7或8所述的封装方法，其特征在于：

该高介电聚合复合物膜层与半导体切割基板任意面或该指纹辨识芯片之基板的黏着力为850～1300cN/25mm；且当该高介电聚合复合物膜层与切割胶带之感压黏着层间黏着力为a，该高介电聚合复合物膜层与半导体切割基板任意面或该指纹辨识芯片之基板的黏着力为b时，b/a为0.5～50，a<b。