[发明专利]高介电聚合复合物膜组合物、电容膜及其制备方法与封装方法

说明书

本发明为一种高介电聚合复合物膜组合物，其可作为高分子介电电容膜，用于封装电子组件。本发明之高介电聚合复合物膜组合物包含硅氧烷化合物改质之高介电材料粉末，其可提供形成之膜层具有高介电。本发明之高分子介电电容膜包含一离形片、一高介电聚合复合物膜层、一感压黏着层及一基膜层，封装后可直接进行切割，无须额外黏附切割胶带，使封装制程更为简便及快速。

技术领域

本发明系关于一种高介电聚合复合物膜组合物，其可做为高分子介电电容膜，用于封装电子产品，特别系半导体芯片及指纹辨识芯片。

背景技术

随着电子产品日趋薄型，如何藉由封装减少电子产品的体积及使用效能，系为目前所积极发展之技术。良好的封装材料必须提供高机械强度、耐温度变化、耐冲击、抗腐蚀及氧化等多种特性，以保护电子组件。惯用封装材料为高分子复合材料，主要成分为塑料材质，例如环氧树脂，其可并搭配其他材料，例如陶瓷或金属等成分，以调整封装材料之性能的特性。而适于封装电子组件之材料通常为高介电，具有较高的电容量。

常见的封装方法包含有真空热压成型及网版印刷成型。真空热压成型系将芯片置入压模具中，并使用粉状、粒状、片状、或团粒状的塑料或金属涂积在芯片上，在真空下经高温高压成型以封装芯片。网版印刷系将在芯片上覆盖网版后，将液状封装材料倒入该网版中，使封装材料硬化后即可封装芯片。

封装制程中，封装芯片会使用切割胶带以利于分切割电子组件，良好的切割胶带必须与其他封装用的积层膜紧密黏合，使切割时不易有切割边翘起及容易破裂等问题。

然而，目前惯用的封装方法之制程多为繁琐耗时；真空热压成型之封装方法必须得先将芯片置入压模具中，并使用粉状、粒状、片状、或团粒状的塑料或金属涂积在芯片上，在真空下经高温高压成型以封装芯片。而网版印刷之封装方法则需将在芯片上覆盖网版后，将液状封装材料倒入该网版中，使封装材料硬化后才可封装芯片。此外，由于封装过程过于复杂，若有一步骤执行不全，便会造成封装效果不佳。

发明内容

本发明的目的在于提升封装制程速度及封装效果，提供了一种高分子介电电容膜，其可直接黏附于电子组件进行封装，且由于已附有切割胶带，因此无须额外步骤积层切割胶带，即封装后便可直接进行切割，以提升制程效率。另外，本发明之高分子介电电容膜包含高介电聚合复合物膜层，其具有高介电之特性，可有效提升电子组件的电容性。

本发明采用以下技术方案：

一种用于制备高介电聚合复合物膜之组成物，其包含热固性树脂、紫外光硬化树脂、硅氧烷化合物改质之高介电材料粉末。

于较佳实施例中，该高介电材料粉末系选自由氧化铝、钛酸钡、氧化锆或二氧化钛所组成之群组。

于较佳实施例中，该硅氧烷化合物为N-苯基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷。

本发明提供了一种高分子介电电容膜，依序包括一离形片、一高介电聚合复合物膜层、一感压黏着层及一基膜层；其中该高介电聚合复合物膜层系形成于该离形片之可剥离面上，且包含上述之任一项之组成物。

于较佳实施例中，该高介电聚合复合物膜层与该感压黏着层之间的黏着力为10～60cN/25mm。

于较佳实施例中，该高分子介电电容膜系用于指纹辨识芯片或半导体封装之用途。

本发明提供了一种上述之任一项之高分子介电电容膜之制备方法，其包含：(a)提供一离形片及一切割胶带，该切割胶带包含一感压黏着层及一基膜层；(b)混合热固性树脂、紫外光硬化树脂及硅氧烷化合物改质之高介电材料粉末，获得一高介电聚合复合物浆液；(c)将该高介电聚合复合物浆液涂覆于该离形片之可剥离面上，形成一湿膜，并烘烤形成一高介电聚合复合物膜层；(d)将该高介电聚合复合物膜层置于该切割胶带之感压黏着层之上，并加热加压贴合，获得该高分子介电电容膜。