[发明专利]半导体存储器件

权利要求书

1.一种半导体存储器件，包括：

衬底，其包括第一单元阵列区域和外围区域，所述外围区域包括在第一方向上彼此面对的第一外围区域和第二外围区域并且所述第一单元阵列区域被插置在其之间；

多个堆叠结构，其在所述衬底的所述第一单元阵列区域上在所述第一方向上延伸，并且在交叉所述第一方向的第二方向上彼此间隔开；

覆盖所述堆叠结构的绝缘层；以及

多个分离结构，其在所述第一外围区域和所述第二外围区域的至少一个上在所述第二方向上延伸并且在垂直于所述衬底的顶表面的方向上穿透所述绝缘层，所述多个分离结构在所述第一方向上彼此间隔开。

2.如权利要求1所述的半导体存储器件，

其中在俯视图中所述衬底包括在所述第二方向上彼此面对的第一表面和第二表面，以及

其中在俯视图中所述分离结构包括在所述第二方向上彼此面对的第一表面和第二表面，

所述分离结构的所述第一表面与所述衬底的所述第一表面相邻并且共面，

所述分离结构的所述第二表面与所述衬底的所述第二表面相邻并且共面。

3.如权利要求1所述的半导体存储器件，

其中在俯视图中所述衬底包括在所述第二方向上彼此面对的第一表面和第二表面，以及

其中在俯视图中所述分离结构包括在所述第二方向上彼此面对的第一表面和第二表面，

所述分离结构的所述第一表面与所述衬底的所述第一表面相邻并且间隔开，

所述分离结构的所述第二表面与所述衬底的所述第二表面相邻并且间隔开。

4.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述衬底还包括在所述第一方向上面对所述第一单元阵列区域的第二单元阵列区域并且所述第一外围区域被插置在其之间，以及

其中所述半导体存储器件还包括多个第二堆叠结构，所述多个第二堆叠结构在所述第二单元阵列区域上在所述第一方向上延伸并且在所述第二方向上彼此间隔开。

5.如权利要求4所述的半导体存储器件，其中所述第一外围区域和所述第二外围区域分别包括设置在其上的所述分离结构，并且在所述第一外围区域上的所述分离结构的数目大于在所述第二外围区域上的所述分离结构的数目。

6.如权利要求4所述的半导体存储器件，其中所述分离结构被设置在所述第一外围区域上但是不被设置在所述第二外围区域上。

7.如权利要求1所述的半导体存储器件，还包括从所述绝缘层的顶表面被凹陷并且暴露所述衬底的一部分的沟槽，

其中所述分离结构包括：

在所述沟槽的上部中的覆盖图案；以及

在所述覆盖图案和所述衬底之间在所述沟槽中的空气间隙。

8.如权利要求7所述的半导体存储器件，其中所述沟槽包括比所述衬底的所述顶表面更低的底表面。

9.一种半导体存储器件，包括：

衬底，其包括单元阵列区域、外围区域以及在所述单元阵列区域和所述外围区域之间的接触区域；

多个堆叠结构，其在所述衬底的所述单元阵列区域和所述接触区域上，所述堆叠结构在第一方向上延伸并且在交叉所述第一方向的第二方向上彼此间隔开；

绝缘层，其在所述衬底的所述接触区域和所述外围区域上，所述绝缘层覆盖所述堆叠结构；以及

多个分离结构，其在所述第二方向上延伸并且在垂直于所述衬底的顶表面的第三方向上穿透在所述外围区域上的所述绝缘层，所述多个分离结构在所述第一方向上彼此间隔开。

10.如权利要求9所述的半导体存储器件，还包括在所述第三方向上从所述绝缘层朝所述衬底的所述顶表面延伸的沟槽，

其中所述分离结构包括：

填充所述沟槽的上部并且封闭所述沟槽的覆盖图案；以及

由被封闭的所述沟槽中的中空空间限定的空气间隙。