[发明专利]一种显示基板、显示装置及显示基板的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板、显示装置及显示基板的制作方法。

背景技术

在平板显示装置中，薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、制造成本相对较低和无辐射等特点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。

在扭曲向列型(Twisted Nematic，简称TN)、高级超维场转换技术(Advanced Super Dimension Switch，简称ADSDS)等显示模式中，在显示基板的制作过程中通常采用窄沟道掩模(Single Slit Mask，简称SSM)技术，使有源层和数据线层通过一次掩模构图工艺形成。如图1所示，现有一种显示基板的TFT包括栅极10、有源层(图中未示出)、源极20和漏极30以及数据线40，其中，源极20与数据线40搭接。现有技术存在的缺陷在于，由于SSM技术是利用单缝衍射原理，在对基板进行曝光时较易受到基板上金属线密度的影响，因此会导致数据线与源极搭接位置的膜层较厚，在后续的灰化工艺中容易导致光刻胶残留，从而造成沟道短路(如图1中A处所示)，影响显示装置的品质。

发明内容

本发明的目的是提供一种显示基板、显示装置及显示基板的制作方法，以提高显示装置的产品品质。

本发明实施例提供了一种显示基板，包括栅极、位于栅极之上的有源层，以及位于有源层之上的源极、漏极和数据线，其中，所述源极具有凹形口，所述漏极与所述源极相对设置且具有伸入所述凹形口的条状部，所述凹形口与条状部的间隙形成U形沟道，所述数据线搭接于源极远离凹形口的一端。

在本发明技术方案中，当有源层和数据线层通过一次掩模构图工艺形成时，通常U形沟道的底部透光最强，而数据线与源极搭接位置的沟道受邻近金属线密度的影响透光最弱，将数据线搭接于源极远离凹形口的一端，可以使U形沟道底部的透光强度因金属线密度的影响而减弱，达到中和的效果，从而得到较为均一的膜层厚度，进而可以避免沟道短路的现象发生，相比现有技术，该方案提高了显示装置的产品品质。

优选的，所述源极、漏极和数据线采用SSM掩模板制作。

本发明实施例还提供了一种显示装置，包括前述技术方案的显示基板。相比现有技术，该显示装置的产品品质得以提高。

本发明实施例还提供了一种显示基板的制作方法，所述方法包括：

在基板之上形成栅极的图形；

在栅极之上形成栅极绝缘层；

在栅极绝缘层之上形成有源层、数据线以及相对设置且形成U形沟道源极和漏极的图形。

优选的，所述在栅极绝缘层之上形成有源层、数据线以及相对设置且形成U形沟道的源极和漏极的图形，具体包括：

在栅极绝缘层上沉积有源层和数据线层；

在数据线层之上形成光刻胶；

采用具有全透光区、半透光区和遮光区的SSM掩模板对基板进行曝光，其中，全透光区与基板上预形成数据线的区域位置相对，半透光区与基板上预形成U形沟道的区域位置相对，遮光区与基板上预形成源极和漏极的区域位置相对；

对基板进行显影并刻蚀出数据线；

对基板进行灰化并刻蚀出有源层；

对基板进行刻蚀形成相对设置且形成U形沟道的源极和漏极。

采用上述方法制作的显示基板，通过SSM技术将数据线搭接于源极远离凹形口的一端，使U形沟道底部的透光强度因金属线密度的影响而减弱，从而得到较为均一的膜层厚度，进而可以避免沟道短路的现象发生，因此提高了显示装置的产品品质。

附图说明

图1为现有技术中数据线与源极搭接位置结构示意图；

图2为现有技术和本发明实施例中的数据线与源极搭接位置对比示意图以及不同U形沟道深度的对比示意图；

图3为本发明实施例对U形沟道深度的定义参考示意图；

图4为图2中方案一在不同U形沟道深度下②处的最大透光强度与①处的最大透光强度的比值以及③处的最大透光强度和①处的最大透光强度的比值柱状示意图；

图5为图2中各个方案在U形沟道深度为10um时②处的最大透光强度与①处的最大透光强度的比值以及③处的最大透光强度和①处的最大透光强度的比值柱状示意图；

图6为TN型显示基板的制作流程图；

图7为图6中步骤103的具体步骤流程图；

图8a～8f为图6中步骤103的SSM掩模工艺示意图。

附图标记：