[发明专利]MOS器件的仿真方法有效
| 申请号： | 201710011836.5 | 申请日： | 2017-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN106802991B | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 张昊 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/39 | 分类号： | G06F30/39 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张振军;吴敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mos 器件 仿真 方法 | ||
1.一种MOS器件的仿真方法，其特征在于，包括：
提供MOS器件边角模型，所述MOS器件边角模型包括用以描述慢NMOS快PMOS工艺角和快NMOS慢PMOS工艺角的第一边角模型，所述第一边角模型中包括多个特性参数，所述第一边角模型中还包括对所述多个特性参数中的至少一部分进行调节的可配置系数，所述可配置系数是变量参数，所述可配置系数用于调整所述慢NMOS快PMOS工艺角和快NMOS慢PMOS工艺角与典型NMOS典型PMOS工艺角的偏移量；
确定对所述可配置系数的配置；
基于配置后的可配置系数，使用所述MOS器件边角模型进行仿真。
2.根据权利要求1所述的MOS器件的仿真方法，其特征在于，所述MOS器件边角模型还包括用以描述快NMOS快PMOS工艺角和慢NMOS慢PMOS工艺角的第二边角模型；所述MOS器件边角模型覆盖全部典型NMOS典型PMOS工艺角。
3.根据权利要求1所述的MOS器件的仿真方法，其特征在于，通过设置不同的所述可配置系数的值调整所述慢NMOS快PMOS工艺角和快NMOS慢PMOS工艺角与典型NMOS典型PMOS工艺角的偏移量。
4.根据权利要求3所述的MOS器件的仿真方法，其特征在于，所述可配置系数的取值范围为[0,1]。
5.根据权利要求3所述的MOS器件的仿真方法，其特征在于，所述可配置系数为1时，所述偏移量最大；所述可配置系数为0时，所述偏移量为0。
6.根据权利要求3所述的MOS器件的仿真方法，其特征在于，所述可配置系数取值范围为[0.5,1]。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710011836.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
