[发明专利]MOS器件的仿真方法

说明书

一种MOS器件的仿真方法，MOS器件的仿真方法包括：提供MOS器件边角模型，所述MOS器件边角模型包括用以描述慢NMOS快PMOS工艺角和快NMOS慢PMOS工艺角的第一边角模型，所述第一边角模型中包括多个特性参数，所述第一边角模型中还包括对所述多个特性参数中的至少一部分进行调节的可配置系数；确定对所述可配置系数的配置；基于配置后的可配置系数，使用所述MOS器件边角模型进行仿真。本发明技术方案提高了MOS器件边角模型适用性。

技术领域

本发明涉及半导体设计仿真领域，一种MOS器件的仿真方法。

背景技术

与双极晶体管不同，在不同的晶片之间以及在不同的批次之间，金属-氧化物-半导体-场效晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET)参数变化很大。为了在一定程度上减轻电路设计任务的困难，工艺工程师们要保证器件的性能在某个标准范围内，对工艺过程进行严格控制，使工艺参数在一定范围内变化。同时对超出这个性能范围的晶圆进行报废处理，以确保器件性能指标满足需求。

通常提供给设计师的MOS晶体管的性能范围以“工艺角”(Process Comer)和边角模型的形式给出，如图1所示，图1是现有技术一种针对阈值电压的边角模型的示意图。其中，横坐标为NMOS，纵坐标为PMOS。把NMOS和PMOS晶体管的工艺波动范围限制在由FF工艺角(快NMOS晶体管和快PMOS晶体管界定的工艺角)13、FS工艺角(快NMOS晶体管和慢PMOS晶体管界定的工艺角)14、SF工艺角(慢NMOS晶体管和快PMOS晶体管界定的工艺角)12、SS工艺角(慢NMOS晶体管和慢PMOS晶体管界定的工艺角)11所确定的矩形10内(即矩形10内部区域表示可接受的晶片)。

其中，FF13工艺角对应NMOS、PMOS晶体管饱和电流同为所述工艺线MOS晶体管的出品最大值、阈值电压同为所述工艺线MOS晶体管的出品最小值，FS14工艺角对应NMOS晶体管饱和电流为所述工艺线MOS晶体管的出品最大值、阈值电压为所述工艺线MOS晶体管的出品最小值，PMOS晶体管饱和电流为所述工艺线MOS晶体管的出品最小值、阈值电压为所述工艺线MOS晶体管的出品最大值；SF12工艺角对应NMOS晶体管饱和电流为所述工艺线MOS晶体管的出品最小值、阈值电压为所述工艺线MOS晶体管的出品最大值，PMOS晶体管饱和电流为所述工艺线MOS晶体管的出品最大值、阈值电压为所述工艺线MOS晶体管的出品最小值；SS11工艺角对应NMOS晶体管、PMOS晶体管饱和电流同为所述工艺线MOS晶体管的出品最小值、阈值电压同为所述工艺线MOS晶体管的出品最大值。例如，具有较薄的栅氧、较低阈值电压的晶体管，就落在FF13工艺角附近。

现有技术中，上述FF13工艺角和SS11工艺角通常由工艺中大量数据统计得出，并在电学设计规则中有固定规范。但是FS14工艺角和SF12工艺角都没有固定规则说明。一般由MOS器件边角模型来确定。MOS器件边角模型是某种固定的形状，通常是菱形。在某些特定的情况下MOS器件边角模型为矩形，以覆盖大部分典型工艺角。在典型工艺角和MOS器件边角模型之间有一定的间隙，而MOS器件边角模型则可以反映大规模生产的真实状况。

但是，在实际应用中，设计者需要根据自身设计的特点，对更大或者更小范围进行冗余设计，但现有技术的固定形状的方式不能满足设计者的需求。

发明内容

本发明解决的技术问题是提高MOS器件边角模型适用性。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种MOS器件的仿真方法，MOS器件的仿真方法包括：

提供MOS器件边角模型，所述MOS器件边角模型包括用以描述慢NMOS快PMOS工艺角和快NMOS慢PMOS工艺角的第一边角模型，所述第一边角模型中包括多个特性参数，所述第一边角模型中还包括对所述多个特性参数中的至少一部分进行调节的可配置系数；确定对所述可配置系数的配置；基于配置后的可配置系数，使用所述MOS器件边角模型进行仿真。