[发明专利]调谐共振器的方法、形成共振器的空腔的方法及滤波器

权利要求书

1.一种形成体声波共振器的空腔的方法，包括以下步骤：

步骤A1：形成一牺牲磊晶结构台面于一化合物半导体基板之上；

步骤A2：形成一绝缘层于所述牺牲磊晶结构台面以及所述化合物半导体基板之上；

步骤A3：以一化学机械平坦化制程研磨所述绝缘层以形成一抛光表面，其中所述绝缘层被研磨至使得所述牺牲磊晶结构台面未露出；

步骤A4：形成一体声波共振结构于所述抛光表面之上，其中所述体声波共振结构位于所述牺牲磊晶结构台面之上，其中所述步骤A4包括以下步骤：

步骤A41：形成一底电极层于所述抛光表面之上；

步骤A42：形成一压电层于所述底电极层之上；以及

步骤A43：形成一顶电极层于所述压电层之上；以及

步骤A5：蚀刻所述牺牲磊晶结构台面以形成一空腔，其中所述空腔位于所述体声波共振结构之下，其中介于所述底电极层以及所述牺牲磊晶结构台面之间的所述绝缘层形成一频率调谐结构，其中所述频率调谐结构具有一厚度，所述体声波共振结构具有一共振频率，从而通过调整所述频率调谐结构的所述厚度，可调谐所述体声波共振结构的所述共振频率。

2.根据权利要求1所述的形成体声波共振器的空腔的方法，还包括一形成一底蚀刻终止层于所述化合物半导体基板之上的步骤，其中所述牺牲磊晶结构台面形成于所述底蚀刻终止层之上；其中所述牺牲磊晶结构台面包括一牺牲磊晶层。

3.根据权利要求2所述的形成体声波共振器的空腔的方法，其中(1)所述化合物半导体基板由砷化镓所构成；所述牺牲磊晶层由砷化镓所构成；所述底蚀刻终止层由磷化铟镓所构成；或(2)所述化合物半导体基板由磷化铟所构成；所述牺牲磊晶层由砷化铟镓所构成；所述底蚀刻终止层由磷化铟所构成。

4.根据权利要求2所述的形成体声波共振器的空腔的方法，其中所述牺牲磊晶层具有一厚度，所述牺牲磊晶层的所述厚度介于50nm以及5000nm之间；其中所述底蚀刻终止层具有一厚度，所述底蚀刻终止层的所述厚度介于20nm以及500nm之间。