[发明专利]调谐共振器的方法、形成共振器的空腔的方法及滤波器

说明书

本发明涉及一种调谐共振器的方法、形成共振器的空腔的方法及滤波器，形成体声波共振器的空腔的方法，包括以下步骤：形成一牺牲磊晶结构台面于一化合物半导体基板之上；形成一绝缘层于牺牲磊晶结构台面以及化合物半导体基板之上；以一化学机械平坦化制程研磨绝缘层以形成一抛光表面；形成一体声波共振结构于抛光表面之上，其中体声波共振结构位于牺牲磊晶结构台面之上，其中包括以下步骤：形成一底电极层于抛光表面之上；形成一压电层于底电极层之上；以及形成一顶电极层于压电层之上；以及蚀刻牺牲磊晶结构台面以形成一空腔，其中空腔位于体声波共振结构之下。

技术领域

本发明涉及一种体声波滤波器及调谐体声波滤波器的体声波共振器的方法，尤其涉及一种具有能精准调谐体声波滤波器的体声波共振器的方法、形成体声波共振器的空腔的方法和体声波滤波器。

背景技术

请参阅图7A～图7D，其为现有技术的形成体声波滤波器的方法的制程步骤的剖面示意图。在图7A中，于一硅(Silicon)基板75的一上表面蚀刻出一凹槽74以及一凹槽74’。于硅基板75之上形成一牺牲层77，再以一化学机械平坦化制程(Chemical MechnicalPlanarization，CMP)研磨牺牲层77，使得位于硅基板75的上表面之上的牺牲层77皆被研磨去除，形成如图7B的结构。其中凹槽74以及凹槽74’被牺牲层77所填满。在图7C中，于硅基板75的上表面之上形成一第一体声波共振结构70以及一第二体声波共振结构70’，其中第一体声波共振结构70以及第二体声波共振结构70’分别具有相同厚度的一底电极71以及一压电层72，且其中第一体声波共振结构70以及第二体声波共振结构70’分别具有厚度不相同的一顶电极73以及一顶电极73’。其中顶电极73以及顶电极73’具有一厚度差76。在图7D中，蚀刻填满于凹槽74以及凹槽74’的牺牲层77，使得凹槽74以及凹槽74’分别成为第一体声波共振结构70以及第二体声波共振结构70’的两空腔。由于顶电极73’比较厚，因此使得第二体声波共振结构70’的共振频率比第一体声波共振结构70的共振频率低，第一体声波共振结构70以及第二体声波共振结构70’之间具有一共振频率差，该共振频率差与厚度差76相关连。

然而，以顶电极73以及顶电极73’的厚度差76来调谐第一体声波共振结构70以及第二体声波共振结构70’的共振频率差，以第一体声波共振结构70以及第二体声波共振结构70’本身的结构差异来达成调谐共振频率差。如此除了会造成制作第一体声波共振结构70以及第二体声波共振结构70’的复杂度，也有可能会影响到第一体声波共振结构70以及第二体声波共振结构70’的特性表现。

有鉴于此，发明人开发出简便的设计，能够避免上述的缺点，又具有成本低廉的优点，以兼顾使用弹性与经济性等考量，因此遂有本发明的产生。

发明内容

为解决现有技术的问题，以达到所预期的功效，本发明提供一种形成体声波共振器的空腔的方法，包括以下步骤：步骤A1：形成一牺牲磊晶结构台面于一化合物半导体基板之上；步骤A2：形成一绝缘层于牺牲磊晶结构台面以及化合物半导体基板之上；步骤A3：以一化学机械平坦化制程研磨绝缘层以形成一抛光表面；步骤A4：形成一体声波共振结构于抛光表面之上，其中体声波共振结构位于牺牲磊晶结构台面之上，其中步骤A4包括以下步骤：步骤A41：形成一底电极层于抛光表面之上；步骤A42：形成一压电层于底电极层之上；以及步骤A43：形成一顶电极层于压电层之上；以及步骤A5：蚀刻牺牲磊晶结构台面以形成一空腔，其中空腔位于体声波共振结构之下。

于实施例时，其中于步骤A3当中，绝缘层被研磨至使得牺牲磊晶结构台面未露出，其中介于底电极层以及牺牲磊晶结构台面之间的绝缘层形成一频率调谐结构，其中频率调谐结构具有一厚度，体声波共振结构具有一共振频率，从而通过调整频率调谐结构的厚度，可调谐体声波共振结构的共振频率。

于实施例时，还包括一形成一底蚀刻终止层于化合物半导体基板之上的步骤，其中牺牲磊晶结构台面形成于底蚀刻终止层之上；其中牺牲磊晶结构台面包括一牺牲磊晶层。