[发明专利]用于存取异质存储器的方法及含异质存储器的存储器模块在审

专利信息
申请号: 201710019237.8 申请日: 2017-01-11
公开(公告)号: CN107066392A 公开(公告)日: 2017-08-18
发明(设计)人: 林璇渶 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G06F12/02 分类号: G06F12/02
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 代理人: 刘培培
地址: 韩国京畿道水*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 存取 存储器 方法 含异质 模块
【权利要求书】:

1.一种存取易失性存储器装置、非易失性存储器装置及对所述易失性存储器装置及所述非易失性存储器装置进行控制的控制器的方法,其特征在于,所述方法包括:

由所述控制器在第一定时经由第一线接收与所述易失性存储器装置及所述非易失性存储器装置相关联的行地址;

由所述控制器在第二定时经由第二线接收与所述非易失性存储器装置相关联的扩展地址;以及

由所述控制器在第三定时经由第三线接收与所述非易失性存储器装置及所述易失性存储器装置相关联的列地址。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,进一步包括:

经由命令输入线接收激活扩展命令,所述激活扩展命令指示在所述第二定时传输所述扩展地址。

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,进一步包括:

经由自动预充电输入线接收附加激活扩展命令,所述附加激活扩展命令指示在所述第二定时传输所述扩展地址。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,进一步包括:

在所述第一定时接收主动命令;

在所述第二定时接收激活扩展命令;以及

在所述第三定时接收读取或写入命令。

5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,禁止在所述第一定时与所述第二定时之间接收另一命令。

6.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,在所述第二定时,“RAS_n/A16”线的信号、“CAS_n/A15”线的信号、“WE_n/A14”线的信号分别为低电平、高电平及高电平。

7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,“A10/AP”线的信号在所述第二定时为高电平。

8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第二线包括第0条地址线至第九条地址线。

9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述第二定时,库群组地址线、库地址输入线、芯片识别符线、突发截断信号线以及第11条地址线、第13条地址线及第17条地址线各自具有由高电平及低电平中的一者界定的任意值。

10.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,进一步包括:

由所述控制器从所述易失性存储器装置读取与所述行地址及所述列地址相关联的标记;以及

如果所述标记与所述扩展地址相同,则由所述控制器存取所述易失性存储器装置。

11.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,进一步包括:

当所述控制器在所述易失性存储器装置中写入数据时,由所述控制器将与所述行地址及所述列地址相关联的脏标志在所述易失性存储器装置中写入为脏状态。

12.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,进一步包括:

当所述控制器在所述易失性存储器装置中写入数据时,由所述控制器将所述扩展地址作为与所述行地址及所述列地址相关联的标记写入所述易失性存储器装置中。

13.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,进一步包括:

如果所述标记不同于所述扩展地址,则由所述控制器从所述易失性存储器装置读取与所述行地址及所述列地址相关联的脏标志;以及

如果所述脏标志指示脏状态,则由所述控制器基于所述行地址及所述列地址读取数据并基于所述行地址、所述列地址及所述扩展地址将所述读取数据写入所述非易失性存储器装置中。

14.根据权利要求13所述的方法,其特征在于,进一步包括:

在读取操作期间,在对所述非易失性存储器装置完成写入操作后,由所述控制器基于所述行地址、所述列地址及所述扩展地址从所述非易失性存储器装置读取第二数据并基于所述行地址及所述列地址将所述第二数据写入所述易失性存储器装置中。

15.根据权利要求13所述的方法,其特征在于,进一步包括:

在写入操作期间,在对所述非易失性存储器装置完成写入操作后,由所述控制器基于所述行地址及所述列地址将第二数据写入所述易失性存储器装置中并基于所述行地址、所述列地址及所述扩展地址将所述第二数据写入所述非易失性存储器装置中。

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