[发明专利]用于存取异质存储器的方法及含异质存储器的存储器模块

说明书

对优先权申请的参考

主张在2016年1月14日在美国专利与商标局提出申请的美国临时申请第62/278,610号、在2016年1月22日在韩国知识产权局提出申请的韩国专利申请第10-2016-0008210号、在2016年1月22日在韩国知识产权局提出申请的韩国专利申请第10-2016-0008214号以及在2016年3月11日在韩国知识产权局提出申请的韩国专利申请第10-2016-0029743号的优先权，所述专利申请的全部内容并入本文供参考。

技术领域

本发明概念涉及半导体存储器装置，且更具体地说，涉及用于存取异质存储器的方法及包括异质存储器的存储器模块。

背景技术

半导体存储器是指利用半导体(例如，硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等)进行实作的存储器装置。半导体存储器装置通常被分类为易失性存储器装置或非易失性存储器装置。

易失性存储器装置是指在断电时会丢失存储在其中的数据的存储器装置。所述易失性存储器装置包括静态随机存取存储器(static random access memory，SRAM)、动态随机存取存储器(dynamic random access memory，DRAM)、同步动态随机存取存储器等。非易失性存储器装置是指即使在断电时也能保持存储在其中的数据的存储器装置。非易失性存储器装置包括只读存储器(read only memory，ROM)、可编程只读存储器(programmable read only memory，PROM)、电可编程只读存储器(electrically programmable read only memory，EPROM)、电可擦除可编程只读存储器(electrically erasable and programmable read only memory，EEPROM)、闪速存储器装置、相变随机存取存储器(phase-change random access memory，PRAM)、磁性随机存取存储器(magnetic random access memory，MRAM)、电阻式随机存取存储器(resistive random access memory，RRAM)、铁电随机存取存储器(ferroelectric random access memory，FRAM)等。

由于动态随机存取存储器的反应速度及运行速度通常非常快，因此动态随机存取存储器被广泛用作系统的主存储器。然而，由于动态随机存取存储器是当电源被关闭时数据会丢失的易失性存储器，因此使用单独装置来保持存储在动态随机存取存储器中的数据。此外，由于动态随机存取存储器使用电容器存储数据，而单位胞元的大小通常是大的，从而难以在有限的区域内增大动态随机存取存储器的容量。

发明内容

本发明概念的实施例提供一种通过使用非易失性存储器及易失性存储器而具有大容量及高性能的非易失性存储器模块。

本发明概念的实施例的一个方面涉及提供一种存取易失性存储器装置、非易失性存储器装置及对所述易失性存储器装置及所述非易失性存储器装置进行控制的控制器的方法，所述方法包括：由所述控制器在第一定时经由第一线接收与所述易失性存储器装置及所述非易失性存储器装置相关联的行地址；由所述控制器在第二定时经由第二线接收与所述非易失性存储器装置相关联的扩展地址；以及由所述控制器在第三定时经由第三线接收与所述非易失性存储器装置及所述易失性存储器装置相关联的列地址。所述第一线包括所述第二线及所述第三线。

本发明概念的实施例的另一方面涉及提供一种存储器模块，所述存储器模块包括：非易失性存储器装置；易失性存储器装置；以及控制器，用以控制所述非易失性存储器装置及所述易失性存储器装置，其中所述控制器在第一定时经由第一线接收与所述易失性存储器装置及所述非易失性存储器装置相关联的行地址，在第二定时经由第二线接收与所述非易失性存储器装置相关联的扩展地址，以及在第三定时经由第三线接收与所述非易失性存储器装置及所述易失性存储器装置相关联的列地址。

本发明概念的实施例的又一方面涉及提供一种存取第一类型的高速缓存存储器及第二类型的主存储器的方法，所述方法包括：使用多个序列经由与所述第一类型的高速缓存存储器相关联的地址线将共用地址发送至所述第一类型的所述高速缓存存储器及所述第二类型的所述主存储器；以及