[发明专利]一种二维类超结LDMOS器件及其制备方法

权利要求书

1.一种二维类超结LDMOS器件，元胞结构包括纵向自下而上的硅衬底（1）和半导体有源层；其特征在于：在半导体有源层下部为N型漂移区（2）；位于N型漂移区（2）上、在半导体有源层表面一侧设有P-体区（3），P-体区（3）内设有相邻的第一重掺杂注入区（6）和第二重掺杂注入区（7），第一重掺杂注入区（6）和第二重掺杂注入区（7）的共同引出端为源电极；在半导体有源层表面另一侧设有第三重掺杂注入区（8），第三重掺杂注入区（8）的引出端为漏电极；位于N型漂移区（2）上、在P-体区（3）与第三重掺杂注入区（8）之间为P型漂移区（10）；所述P-体（3）区侧面设有相邻的栅氧化层（4），栅氧化层（4）的引出端为栅电极，栅电极纵向完全覆盖P-体区（3）；栅电极与源电极之间和源电极与漏电极之间设有场氧化层（13）。

2.根据权利要求1所述的二维类超结LDMOS器件，其特征在于：所述硅衬底（1）和第一重掺杂注入区（6）为P型；第二重掺杂注入区（7）和第三重掺杂注入区（8）为N型。

3.根据权利要求1所述的二维类超结LDMOS器件，其特征在于：所述第三重掺杂注入区（8）纵向延伸至与N型漂移区（2）同等深度。

4.根据权利要求1至3任一项所述的二维类超结LDMOS器件，其特征在于：所述P型漂移区（10）为三阶掺杂，形成P1区、P2区和P3区，掺杂浓度逐渐降低。

5.根据权利要求4所述的二维类超结LDMOS器件，其特征在于：所述P型漂移区的掺杂浓度为P1区3e15cm^-3、P2区2e15cm^-3 、P3区5e14cm^-3。

6.权利要求1所述的二维类超结LDMOS器件的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

第1步，在硅衬底上外延生长N型外延层形成N型漂移区；

第2步，在N型漂移区上离子注入形成P型漂移区；

第3步，利用同一窗口，先进行P阱注入硼，通过退火工艺形成结深，继续注入砷形成第二重掺杂注入区，两次注入扩散的结深之差形成P-体区；

第4步，在P-体区中注入形成第一重掺杂注入区，在N型漂移区和P型漂移区右侧离子注入形成第三重掺杂注入区；

第5步，在P-体区左侧刻蚀槽并形成栅氧化层，引出栅电极；

第6步，在器件表面形成场氧化层，引出电极。

7.根据权利要求6所述的二维类超结LDMOS器件的制备方法，其特征在于：第2步中P型漂移区的掺杂浓度为P1区3e15cm^-3、P2区2e15cm^-3 、P3区5e14cm^-3。