[发明专利]包括薄膜晶体管阵列面板的显示装置及其制造方法

说明书

公开了一种包括TFT阵列面板的显示装置及其制造方法。所述显示装置的TFT阵列面板包括：第一基底；第一电极，设置在第一基底上；第一绝缘层，包括第一孔，第一绝缘层设置在第一电极上；第二绝缘层，设置在第一绝缘层上并且包括与第一孔对应的第二孔；以及盖层，包括第一内部部分，盖层设置在形成第二孔的内侧表面上，其中，第一内部部分的设置在第二孔中的端部与第一电极分开。

本申请要求于2016年1月11日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0003082号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。

技术领域

本公开涉及一种包括薄膜晶体管阵列面板的显示装置及其制造方法。

背景技术

包括在诸如显示装置的各种电子装置中的晶体管包括被提供栅极信号的栅电极、被提供电压的源电极、面对源电极的漏电极以及电连接到源电极和漏电极的半导体。

当晶体管是包括设置在基底上的多个薄膜的薄膜晶体管(TFT)时，绝缘层设置在TFT的电极层之间和TFT上。这样的绝缘层可以包括无机绝缘材料和有机绝缘材料中的至少一种。设置在TFT的电极层之间的绝缘层通常包括无机绝缘材料。

对于将要从信号线或诸如另一TFT的电子元件提供电压或者将电压传输到信号线或诸如另一TFT的电子元件的TFT的每个电极，设置在TFT的电极层之间或TFT上的绝缘层包括用于连接设置在彼此不同的层处的电极的接触孔。

在该背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对发明的背景的理解，因此，它可能包含不构成在本国已被本领域普通技术人员所知晓的现有技术的信息。

发明内容

在设置在TFT的电极之间的绝缘层中形成接触孔的制造工艺中，如果相对于基底设置在TFT上以覆盖TFT的绝缘层的材料的至少一部分与设置在TFT的电极之间的绝缘层的材料不同，那么覆盖TFT的绝缘层的一部分也被去除以暴露TFT的电极。因此，在TFT的暴露的电极上会剩余一层。这样的剩余层增大了接触孔处的接触电阻，导致TFT的特性的劣化。另外，如果覆盖TFT的绝缘层的一部分变薄，那么会暴露TFT的电极并且会发生短路。

具体地，在覆盖TFF的绝缘层包括有机绝缘材料的情况下，由有机材料的剩余层产生的影响会更加严重。

因此，本公开的实施例旨在防止在TFT阵列面板的制造工艺期间设置在TFT上的绝缘层的损失，特别是包括有机绝缘材料的绝缘层的损失，因此，以防止在绝缘层的接触孔处的接触电阻的增大和TFT的特性的劣化。

本公开的实施例还旨在防止在相对于TFT上的绝缘层的上方和下方设置的电极之间的短路。

实施例提供了一种包括TFT阵列面板的显示装置，TFT阵列面板包括：第一基底；第一电极，设置在第一基底上；第一绝缘层，包括第一孔，第一绝缘层设置在第一电极上；第二绝缘层，设置在第一绝缘层上并且包括与第一孔对应的第二孔；以及盖层，包括第一内部部分，盖层设置在形成第二孔的内侧表面上，其中，第一内部部分的设置在第二孔中的端部与第一电极分开。

第二孔的平面尺寸可以大于第一孔的平面尺寸。

盖层可以包括设置在第二绝缘层的上表面上并且与第一内部部分连接的上部部分。

TFT阵列面板还可以包括设置在盖层上并且通过第一孔和第二孔与第一电极连接的导体。

上部部分包括与导体叠置的至少一部分以及不与导体叠置的部分。

TFT阵列面板还可以包括设置在第一绝缘层与第二绝缘层之间并且包括与第一孔和第二孔对应的第三孔的第三绝缘层以及设置在第一绝缘层和第三绝缘层之间的第二电极，其中，第三绝缘层还包括设置在第二电极上的第四孔，其中，第二绝缘层还包括与第四孔对应的第五孔，其中，盖层还包括位于形成第五孔的内侧表面上的第二内部部分。