[发明专利]磷光蓝有机发光二极管装置

权利要求书

1.一种磷光蓝有机发光二极管装置，包括依次沉积设置的第一导电层、空穴传输部、发光层、电子传输部及第二导电层，其特征在于，所述发光层至少由一种延迟荧光材料和一种磷光材料掺杂形成，所述发光层中延迟荧光材料的浓度为50wt.％～99wt.％，所述磷光材料的浓度为1wt.％～50wt.％；所述延迟荧光材料的发射光谱与所述磷光材料的吸收光谱部分重叠，设定发光材料的单线态能级为S1、三线态能级为T1，所述延迟荧光材料的三线态和单线态能级差ΔE(S1-T1)＜1.0eV。

2.根据权利要求1所述的磷光蓝有机发光二极管装置，其特征在于，所述延迟荧光材料的三线态和单线态能级差ΔE(S1-T1)＜0.5eV。

3.根据权利要求1所述的磷光蓝有机发光二极管装置，其特征在于，所述延迟荧光材料的发射光谱波长短于所述磷光材料的发射光谱波长，且所述磷光材料的发射光谱波长小于500nm。

4.根据权利要求1所述的磷光蓝有机发光二极管装置，其特征在于，所述磷光材料为金属配合物ML_nX_m，其中，M表示配位数为n+m的金属元素，为Ir、Pt、Cu、Ag或稀土金属；L和X表示有机配体。

5.根据权利要求1所述的磷光蓝有机发光二极管装置，其特征在于，所述延迟荧光材料的结构为A-D-A、D-A-D或D-SP-A，其中：

A表示氰基苯化合物、三嗪化合物、二唑化合物、三唑化合物、庚嗪烷化合物、1,4-三苯基二氮苯烷化合物、二苯基硫氧化合物或二苯基酮化合物；

D表示咔唑化合物、二苯胺化合物或吩噁嗪化合物；

SP表示刚性的空间阻隔物，为螺旋芴结构、叔丁基及其取代物。

6.根据权利要求5所述的磷光蓝有机发光二极管装置，其特征在于，所述延迟荧光材料的结构为A-D-A或D-A-D，其中：

A表示二苯基砜、2,5-二苯基二唑、3,4,5-三苯基三唑或2,3,4-三苯基-三唑化合物；

D表示9,9-二甲基吖叮、5-苯基-5,10-二氢吩嗪或吩噁嗪。

7.根据权利要求1所述的磷光蓝有机发光二极管装置，其特征在于，所述延迟荧光材料的结构为A-D或D-A，所述D-A结构为DMAC-DPS、PPZ-DPS、PXZ-DPS、或PPZ-4TPT，所述A-D结构为DPO-PPZ或3PT-PPZ；其中DMAC表示D＝9,9-二甲基吖叮，DPS表示二苯基砜，PPZ表示DMAC,5-苯基-5,10-二氢吩嗪，PXZ表示吩噁嗪，4TPT表示2,3,4-三苯基-三唑化合物，DPO表示2,5-二苯基二唑，3PT表示3,4,5-三苯基三唑。

8.根据权利要求1所述的磷光蓝有机发光二极管装置，其特征在于，所述空穴传输部包括空穴注入层和沉积于所述空穴注入层上的空穴传输层，所述空穴传输层的材料为芳香族三胺类化合物、成对偶联的二胺类化物、星形三苯胺化合物、分子中心含有苯基的三苯胺类化物、分子中心含有1，3，5-三苯基苯的三苯胺类化合物、分子中心含有三苯胺的含氮化合物、螺形结构的空穴传输材料、多枝形的三苯胺空穴传输材料、树枝状的三苯胺空穴传输材料、枝化结构的寡聚三芳基胺化合物、三芳胺聚合物、咔唑类空穴传输材料、有机硅空穴传输材料、有机金属配合物空穴传输材料，或与P型金属氧化物的掺杂层；所述空穴注入层的材料为酞菁铜、星形的多胺类化物或聚苯胺。

9.根据权利要求1所述的磷光蓝有机发光二极管装置，其特征在于，所述电子传输部包括电子传输层和沉积于所述电子传输层的电子注入层，所述电子传输层的材料为金属配合物、噁二唑化物、咪唑化物、噁唑化物、三唑化物、苯并二唑化物、苯硫二唑化合物、含氮六元杂化化合物，腈化合物、有机硅电子传输材料、有机硼电子传输材料、或与N型金属氧化物掺杂形成的薄膜层；所述电子注入层的材料为碱金属氟化物、碱金属氮化物、碱金属氧化物、缺电子的碱金属有机配合物。