[发明专利]磷光蓝有机发光二极管装置

说明书

【技术领域】

本发明涉及发光二极管技术领域，具体涉及一种磷光蓝有机发光二极管装置。

【背景技术】

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)装置可以作为显示装置及照明装置的发光来源，具有广视角、响应时间短、轻薄和实现任意弯曲的优点。OLED的发光机制为当对OLED器件施加偏压后，空穴从阳极注入，经由HIL/HTL跃迁到EML，电子由阴极注入，经由EIL/ETL进入到EML，空穴和电子载流子在主体材料上复合形成不稳定的激子，通过FET能量转移到客体上进行退激发的过程。

随着对OLED的研究与开发，荧光/磷光混合发光被认为是实现OLED照明应用的最佳途径，混合型白光OLED成为有机发光研究领域的一大热点，而其发光效果是影响磷光蓝OLED应用的重要因素。OLED发光效率可以简单概括为用于复合发光的激子数量与注入到器件中的激子总数的比值。因此，OLED的器件效率与主客体掺杂体系中的能量传递FET息息相关。

相关技术中，磷光蓝OLED发光效率低，主要原因在于：一方面当空穴与电子在主体材料上复合后，按照光学统计，可以形成25％S1+75％T1，但是由于E(客体，S1)>>E(客体，T1)，E(主体，S1)>>E(主体，T1)，一般差值在1.0ev以上，造成主体材料中部分S1能级有可能通过非辐射方式弛豫而并非100％传递到客体材料的S1和T1上，从而降低了磷光OLED的发光效率；另一方面，在现有EML掺杂技术中，由于从主体材料到客体材料的FET能量传递路线较多，导致总的能量损失发生的概率更大，例如，S1(主)→S1(客)，S1(主)→T1(主)，T1(主)→T1(客)。

因此，有必要提供一种新的工艺解决上述技术问题。

【发明内容】

本发明的目的是克服上述技术问题，提供一种通过能量回转的特性提升激子利用率，从而提升发光效率的磷光蓝有机发光二极管装置。

本发明的技术方案是：

一种磷光蓝有机发光二极管装置，包括依次沉积设置的第一导电层、空穴传输部、发光层、电子传输部及第二导电层，所述发光层至少由一种延迟荧光材料和一种磷光材料掺杂形成，所述发光层中延迟荧光材料的浓度为50wt.％～99wt.％，所述磷光材料的浓度为1wt.％～50wt.％；所述延迟荧光材料的发射光谱与所述磷光材料的吸收光谱部分重叠，设定发光材料的单线态能级为S1、三线态能级为T1，所述延迟荧光材料的三线态和单线态能级差ΔE(S1-T1)＜1.0eV。

优选的，所述延迟荧光材料的三线态和单线态能级差ΔE(S1-T1)＜0.5eV。

优选的，所述延迟荧光材料的发射光谱波长短于所述磷光材料的发射光谱波长，且所述磷光材料的发射光谱波长小于500nm。

优选的，所述磷光材料为金属配合物ML_nX_m，其中，M表示配位数为n+m的金属元素，为Ir、Pt、Cu、Ag或稀土金属；L和X表示有机配体。

优选的，所述延迟荧光材料的结构为A-D-A、D-A-D或D-SP-A，其中：A表示氰基苯化合物、三嗪化合物、二唑化合物、三唑化合物、庚嗪烷化合物、1,4-三苯基二氮苯烷化合物、二苯基硫氧化合物或二苯基酮化合物；

D表示咔唑化合物、二苯胺化合物或吩噁嗪化合物；

SP表示刚性的空间阻隔物，为螺旋芴结构、叔丁基及其取代物。

优选的，所述延迟荧光材料的结构为A-D-A或D-A-D，其中：

A表示二苯基砜、2,5-二苯基二唑、3,4,5-三苯基三唑或2,3,4-三苯基-三唑化合物；

D表示9,9-二甲基吖叮、5-苯基-5,10-二氢吩嗪或吩噁嗪。

优选的，所述延迟荧光材料的结构为A-D或D-A，所述D-A结构为DMAC-DPS、PPZ-DPS、PXZ-DPS、或PPZ-4TPT，所述A-D结构为DPO-PPZ或3PT-PPZ；其中DMAC表示D＝9,9-二甲基吖叮，DPS表示二苯基砜，PPZ表示DMAC,5-苯基-5,10-二氢吩嗪，PXZ表示吩噁嗪，4TPT表示2,3,4-三苯基-三唑化合物，DPO表示2,5-二苯基二唑，3PT表示3,4,5-三苯基三唑。