[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置

权利要求书

1.一种有机薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括制作源极和漏极的方法，还包括制作有源层的方法：

在衬底上沿第一方向形成多个处理区域，且任意相邻两个所述处理区域具有不同的亲水性；其中，所述第一方向与所述薄膜晶体管的载流子传输方向平行；

在所述衬底上形成至少覆盖相邻两个所述处理区域的部分交界区域的有源层；

在所述衬底上形成所述有源层包括：在所述衬底上形成有机半导体溶液；所述有机半导体溶液干燥成膜，以形成所述有源层；

将衬底基板作为所述衬底；在所述衬底上形成至少覆盖相邻两个所述处理区域的部分交界区域的有源层之后，所述方法还包括：在形成有所述有源层的衬底基板上，通过构图工艺依次形成栅极绝缘层和栅极；在形成有栅极的衬底基板上，通过构图工艺形成所述源极和所述漏极。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，在所述衬底上形成多个处理区域包括：所述多个处理区域依次紧密排列。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，在所述衬底上形成多个处理区域包括：所述处理区域的亲水性依次渐变。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，被所述有源层覆盖的所有所述处理区域沿第二方向的尺寸均相等；其中，所述第二方向与所述第一方向垂直。

5.根据权利要求1-4任一项所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，在所述衬底上形成多个处理区域包括：通过紫外光照射工艺在所述衬底上形成多个所述处理区域。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述紫外光照射工艺包括：

在所述衬底待照射的一侧设置光照掩膜板；

采用紫外汞灯透过所述光照掩膜板的透光区对所述衬底进行照射；

沿所述第一方向匀速移动所述衬底或所述光照掩膜板。

7.根据权利要求5所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述紫外光照射工艺包括：

在所述衬底待照射的一侧设置光照掩膜板；

在同一照射时间内，采用多个具有不同光照强度的低压紫外汞灯透过所述光照掩膜板的透光区对所述衬底进行照射。

8.根据权利要求5所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述紫外光照射工艺包括：

在所述衬底待照射的一侧设置光照掩膜板；

采用多个光照强度相同且光照时间不同的低压紫外汞灯，透过所述光照掩膜板的透光区对所述衬底进行照射。

9.根据权利要求6-8任一项所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述光照掩膜板与制备所述有源层的掩膜板相同。

10.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，在所述衬底上形成有机半导体溶液之前，所述方法还包括：

在所述衬底上形成一层光刻胶；

通过一次构图工艺，将部分光刻胶去除，以形成光刻胶去除区域；

在所述衬底上形成有机半导体溶液包括在所述衬底上对应所述光刻胶去除区域的位置形成所述有机半导体溶液。

11.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，构成所述有源层的材料包括极性半导体材料。

12.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述有机半导体溶液的溶剂为极性溶剂。