[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置

说明书

本发明实施例提供一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，涉及显示技术领域，能够减少有源层中垂直于OTFT沟道中载流子传输方向的晶界数量。该薄膜晶体管的制作方法包括制作源极和漏极的方法，还包括制作有源层的方法：在衬底上沿第一方向形成多个处理区域，且任意相邻两个处理区域具有不同的亲水性；其中，第一方向与薄膜晶体管的载流子传输方向平行；在衬底上形成至少覆盖相邻两个处理区域的部分交界区域的有源层。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置。

背景技术

TFT-LCD(英文全称：Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，中文全称：薄膜晶体管-液晶显示器)作为一种平板显示装置，因其具有体积小、功耗低、无辐射以及制作成本相对较低等特点，而越来越多地被应用于高性能显示领域当中。

具体的，薄膜晶体管包括无机薄膜晶体管和有机薄膜晶体管(英文全称：OrganicThin Film Transistor，英文简称：OTFT)。其中，OTFT可以用来制作更小的器件，此外OTFT具有很好的柔韧性，可以用来制备柔性显示器。

现有的制作OTFT的过程中，可以通过构图工艺在衬底基板上形成栅极和栅极绝缘层，然后通过喷墨打印工艺在该栅极绝缘层上形成有机半导体溶液，该有机半导体溶液在干燥后形成如图1所示的有源层10。然后，通过构图工艺形成源极11和漏极12。

然而，由于该有机半导体溶液在栅极绝缘层界面上的干燥过程呈现各项同性，因此经过干燥形成的薄膜的成膜方向以及成膜速度具有一定的随机性。这样一来，形成的薄膜形貌可控性差，且如图1所示有源层10薄膜中的结晶方向杂乱。在此情况下，上述有源层10薄膜中垂直于OTFT沟道中载流子传输方向A的晶界会影响载流子的迁移速度，从而降低了OTFT的迁移率。

发明内容

本发明的实施例提供一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，能够减少有源层中垂直于OTFT沟道中载流子传输方向的晶界数量。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

本发明实施例提供一种薄膜晶体管的制作方法，包括制作源极和漏极的方法，还包括制作有源层的方法：在衬底上沿第一方向形成多个处理区域，且任意相邻两个所述处理区域具有不同的亲水性；其中，所述第一方向与所述薄膜晶体管的载流子传输方向平行；在所述衬底上形成至少覆盖相邻两个所述处理区域的部分交界区域的有源层。

优选的，在所述衬底上形成多个处理区域包括：所述多个处理区域依次紧密排列。

优选的，在所述衬底上形成多个处理区域包括：所述处理区域的亲水性依次渐变。

优选的，被所述有源层覆盖的所有所述处理区域沿第二方向的尺寸均相等；其中，所述第二方向与所述第一方向垂直。

优选的，在所述衬底上形成多个处理区域包括：通过紫外光照射工艺在所述衬底上形成多个所述处理区域。

进一步优选的，所述紫外光照射工艺包括：在所述衬底待照射的一侧设置光照掩膜板；采用紫外汞灯透过所述光照掩膜板的透光区对所述衬底进行照射；沿所述第一方向匀速移动所述衬底或所述光照掩膜板。

进一步优选的，所述紫外光照射工艺包括：在所述衬底待照射的一侧设置光照掩膜板；在同一照射时间内，采用多个具有不同光照强度的低压紫外汞灯透过所述光照掩膜板的透光区对所述衬底进行照射。

进一步优选的，所述紫外光照射工艺包括：在所述衬底待照射的一侧设置光照掩膜板；采用多个光照强度相同且光照时间不同的低压紫外汞灯，透过所述光照掩膜板的透光区对所述衬底进行照射。

优选的，所述光照掩膜板与制备所述有源层的掩膜板相同。