[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、显示基板及其制备方法在审
| 申请号： | 201710024197.6 | 申请日： | 2017-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN106711231A | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 肖志莲;肖红玺;赵海生 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/45;H01L21/336;H01L21/28;H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 汪源,陈源 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制备 方法 显示 | ||
1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：
通过一次构图工艺，在衬底的上方形成包括有源层和位于所述有源层的源极接触区和漏极接触区上的欧姆接触层的图形；
在完成上述步骤的衬底上，通过构图工艺，形成包括源极和漏极的图形。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述有源层采用非晶硅或多晶硅制成，所述欧姆接触层采用N+a-Si制成。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述通过一次构图工艺，在衬底的上方形成包括有源层和位于所述有源层的源极接触区和漏极接触区上的欧姆接触层的图形包括：
在所述衬底的上方依次沉积有源层材料、欧姆接触层材料和光刻胶层；
对光刻胶层进行不同精度的曝光，形成完全曝光光刻胶图形、部分曝光光刻胶图形和未曝光光刻胶图形；
对曝光后的光刻胶层进行显影，去除所述完全曝光光刻胶图形以暴露出部分所述欧姆接触层材料及位于所述欧姆接触层材料下方的有源层材料；
对暴露出的所述欧姆接触层材料及位于所述欧姆接触层材料下方的有源层材料进行刻蚀，以形成所述有源层；
去除所述部分曝光光刻胶图形；
对所述部分曝光光刻胶图形对应的所述欧姆接触层材料进行刻蚀；
去除所述未曝光光刻胶图形，以形成所述欧姆接触层。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在完成上述步骤的衬底上，通过构图工艺，形成包括源极和漏极的图形包括：
在所述欧姆接触层上依次沉积第一金属层材料、第二金属层材料和第三金属层材料；
对所述欧姆接触层上沉积的金属层材料进行刻蚀工艺，以形成源极和漏极。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述第一金属层材料和所述第三金属层材料采用相同的材料制成。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述第一金属层材料采用钼制成，所述第二金属层材料采用铝制成。
7.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括权利要求1至6任意一项所述的薄膜晶体管的制备方法的步骤。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，在所述欧姆接触层上形成源极和漏极的同时，还包括：
形成金属线的图形。
9.一种薄膜晶体管，其特征在于，采用权利要求1至6任意一项所述的薄膜晶体管的制备方法制备。
10.一种显示基板，其特征在于，采用权利要求7或8所述的显示基板的制备方法制备。
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