[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、显示基板及其制备方法

说明书

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、显示基板及其制备方法。

背景技术

在现有的Touch量产产品中，通常在有源层上方设置欧姆接触层，在欧姆接触层上设置有源极和漏极，欧姆接触层主要用于增强有源层与源极、漏极之间的导电性。

在现有的形成上述结构的工艺中，首先在衬底上沉积有源层材料，再在有源层材料上沉积欧姆接触层材料，然后沉积源漏金属材料；随后，对源漏金属材料进行刻蚀，以形成源极和漏极；再后，通过干刻工艺，即通过氯气、六氟化硫、氦气等反应气体对欧姆接触层材料进行刻蚀，以形成位于源极与有源层之间及漏极与有源层之间的欧姆接触层。

但现有技术中至少存在如下问题：

为了增强源极和漏极的导电性，通常采用三层结构(如Mo-Al-Mo)搭配或两层结构(如Mo-Al，其中Mo可替换为其他金属材料)制备源极和漏极，源极与漏极相连的欧姆接触层，需要在源漏极刻蚀完成后采用气体刻蚀，而欧姆接触层刻蚀的主反应气体氯气，与源极和漏极膜层中使用的Al膜层有化学反应，即对Al具有腐蚀性，在刻蚀工艺结束后，容易出现Al膜层断裂、缺失、或氧化等反应(如图1和图2所示)，导致数据线断路或电阻增大的产品显示不良，严重影响产品性能。在图1中，由于Al被腐蚀，导致图1中出现膜层断裂(图1圈中所示)，从而使在薄膜晶体管开启时，电流无法通过；在图2中，由于Al被腐蚀，导致两层Mo金属之间的间距越来越小(图2圈中所示)，由于金属层减薄使电阻增加，从而导致功耗加大。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种能够避免源极和漏极中的金属材料被形成欧姆接触层的反应气体腐蚀的薄膜晶体管及其制备方法、显示基板及其制备方法。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种薄膜晶体管的制备方法，包括：

通过一次构图工艺，在衬底的上方形成包括有源层和位于所述有源层的源极接触区和漏极接触区上的欧姆接触层的图形；

在完成上述步骤的衬底上，通过构图工艺，形成包括源极和漏极的图形。

其中，所述有源层采用非晶硅或多晶硅制成，所述欧姆接触层采用N⁺a-Si制成。

其中，所述通过一次构图工艺，在衬底的上方形成包括有源层和位于所述有源层的源极接触区和漏极接触区上的欧姆接触层的图形包括：

在所述衬底的上方依次沉积有源层材料、欧姆接触层材料和光刻胶层；

对光刻胶层进行不同精度的曝光，形成完全曝光光刻胶图形、部分曝光光刻胶图形和未曝光光刻胶图形；

对曝光后的光刻胶层进行显影，去除所述完全曝光光刻胶图形以暴露出部分所述欧姆接触层材料及位于所述欧姆接触层材料下方的有源层材料；

对暴露出的所述欧姆接触层材料及位于所述欧姆接触层材料下方的有源层材料进行刻蚀，以形成所述有源层；

去除所述部分曝光光刻胶图形；

对所述部分曝光光刻胶图形对应的所述欧姆接触层材料进行刻蚀；

去除所述未曝光光刻胶图形，以形成所述欧姆接触层。

其中，所述在完成上述步骤的衬底上，通过构图工艺，形成包括源极和漏极的图形包括：

在所述欧姆接触层上依次沉积第一金属层材料、第二金属层材料和第三金属层材料；

对所述欧姆接触层上沉积的金属层材料进行刻蚀工艺，以形成源极和漏极。

其中，所述第一金属层材料和所述第三金属层材料采用相同的材料制成。

其中，所述第一金属层材料采用钼制成，所述第二金属层材料采用铝制成。

作为另一技术方案，本发明还提供一种显示基板的制备方法，包括上述任意一项所述的薄膜晶体管的制备方法的步骤。

其中，在所述欧姆接触层上形成源极和漏极的同时，还包括：

形成金属线的图形。

作为另一技术方案，本发明还提供一种薄膜晶体管，采用上述任意一项所述的薄膜晶体管的制备方法制备。

作为另一技术方案，本发明还提供一种显示基板，采用上述任意一项所述的显示基板的制备方法制备。