[发明专利]一种胺辅助低温合成多孔氮化硼的方法有效
申请号: | 201710025556.X | 申请日: | 2017-01-13 |
公开(公告)号: | CN106744737B | 公开(公告)日: | 2018-10-12 |
发明(设计)人: | 刘超;谭宏亮;纪秀杰;赵阳阳;吴芳芳;李颖 | 申请(专利权)人: | 河北工业大学 |
主分类号: | C01B21/064 | 分类号: | C01B21/064 |
代理公司: | 天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙) 12210 | 代理人: | 赵凤英 |
地址: | 300130 天津市红桥区*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 辅助 低温 合成 多孔 氮化 方法 | ||
1.一种胺辅助低温合成多孔氮化硼的方法,其特征为该方法包括以下步骤:
(1)将氨硼烷溶于1,4-二氧六环中,配制0.025克氨硼烷/毫升二氧六环溶液40份,移到反应釜待用;
(2)将胺溶解于1,4-二氧六环中,配制0.00125~0.025克胺/毫升二氧六环溶液20份,待用;
(3)将步骤(2)中配制的溶液加入到步骤(1)的反应釜中,得到氨硼烷-胺混合溶液,将反应釜放入140~200℃的烘箱中,密闭反应12~24小时;
(4)室温下原液静置0~24小时,然后离心,所得沉淀干燥后,得到白色粉末;
(5)将白色粉末放入管式炉中,在氨气气氛中650~750℃煅烧6~8小时,得到多孔氮化硼粉末;
上述组分的份数均为体积份数,且各步骤中所用的体积单位相同;
所述的步骤(2)(3)中的胺为十八胺或十六胺或十四胺或苯胺。
2.如权利要求1所述的胺辅助低温合成多孔氮化硼的方法,其特征为所述的步骤(5)中的气体流速为100~500毫升每分钟。
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