[发明专利]铜箔、覆铜层压板、及印刷配线板和电子机器和传输线和天线的制造方法在审

专利信息
申请号: 201710025643.5 申请日: 2017-01-13
公开(公告)号: CN107072071A 公开(公告)日: 2017-08-18
发明(设计)人: 福地亮 申请(专利权)人: JX金属株式会社
主分类号: H05K3/38 分类号: H05K3/38;C23F1/18;H01Q1/38
代理公司: 北京戈程知识产权代理有限公司11314 代理人: 程伟,王锦阳
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 铜箔 层压板 印刷 线板 电子 机器 传输线 天线 制造 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种铜箔、覆铜层压板、印刷配线板的制造方法、电子机器的制造方法、传输线的制造方法及天线的制造方法。

背景技术

印刷配线板在这半个世纪取得了很大进展,现今已经用于几乎所有电子机器。随着近年来电子机器的小型化、高性能化需求的增大,向搭載零件的高密度实装化或信号的高频化方向发展,对印刷配线板要求优异的高频应对性。

对于高频用基板,为了确保输出信号的品质,而要求降低传输损耗。传输损耗主要包括由树脂(基板侧)引起的介电质损耗和由导体(铜箔侧)引起的导体损耗。树脂的介电常数及介电损耗角正切越小,介电质损耗越减少。在高频信号下,导体损耗的主要原因为:频率越高,因电流仅在导体的表面流通的趋肤效应,流通电流的剖面积越减少,电阻越变高。因此,在形成高频电路的情况下,需要以较通常更良好的精度形成电路,而变得需要优异的电路加工性。

作为使高频用铜箔的传输损耗降低的技术,例如专利文献1中披露了一种高频电路用金属箔,其是在金属箔表面的单面或两面被覆银或银合金属,并在该银或银合金被覆层之上施加厚度薄于所述银或银合金被覆层的银或银合金以外的被覆层。并且记载了,根据该高频电路用金属箔,可提供即使在卫星通信所使用的超高频区域也会减小由趋肤效应引起的损耗的金属箔。

另外,专利文献2中披露了一种高频电路用粗化处理压延铜箔,其特征在于:其是印刷电路基板用材料,并且压延铜箔在再结晶退火后的压延面的通过X射线衍射所求出的(200)面的积分强度(I(200))相对于通过微粉末铜的X射线衍射所求出的(200)面的积分强度(I0(200)),I(200)/I0(200)>40,通过电解镀敷对该压延面进行粗化处理后的粗化处理面的算术平均粗糙度Ra为0.02μm~0.2μm,十点平均粗糙度Rz为0.1μm~1.5μm。并且记载了,根据该高频电路用粗化处理压延铜箔,可提供能够在超过1GHz的高频率下使用的印刷电路板。

此外,专利文献3中披露了一种电解铜箔,其特征在于:铜箔的表面的一部分是由圆块状突起构成的表面粗度为2~4μm的凹凸面。并且记载了,根据该电解铜箔,可提供高频传输特性优异的电解铜箔。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利第4161304号公报

[专利文献2]日本专利第4704025号公报

[专利文献3]日本特开2004-244656号公报

发明内容

如上所述,在高频信号下,导体损耗的主要原因为:频率越高,因电流仅在导体的表面流通的趋肤效应,流通电流的剖面积越减少,电阻越变高。此外,传输损耗也会因特性阻抗的失配而引起,所以对于铜箔,除了要求降低导体损耗以外,还要求电路的特性阻抗匹配性。本发明者发现,该电路的特性阻抗的偏差可通过提升电路宽度精度、即提升电路加工性而良好地得到抑制。

本发明是鉴于所述情况发明而成,其目的在于提供电路加工性良好,即使用于高频电路基板也良好地抑制传输损耗的铜箔及覆铜层压板。

[解决问题的技术手段]

本发明者为了解决所述问题而进行了努力研究,结果发现:以对铜箔的光泽面侧的表面进行特定的粗糙度控制,且对铜箔进行特定的加热后,仍维持进行加热前的铜箔的层状结构的方式加以控制,由此解决所述问题。

本发明是基于所述见解而完成的,在一个态样中是一种铜箔,针对铜箔的光泽面侧的表面,利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Ra为0.25μm以下,且利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Rz为1.10μm以下,该铜箔在200℃加热30分钟之后或在130℃加热30分钟之后或在300℃加热30分钟之后具有层状结构。

本发明在另一个态样中是一种铜箔,针对铜箔的光泽面侧的表面,利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Ra为0.25μm以下,且利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Rz为1.10μm以下,该铜箔在200℃加热30分钟之前或在130℃加热30分钟之前具有层状结构,且在所述200℃加热30分钟之后或在所述130℃加热30分钟之后维持层状结构。

本发明在又一个态样中是一种铜箔,针对铜箔的光泽面侧的表面,利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Ra为0.25μm以下,且利用激光显微镜所测得的表面粗糙度Rz为1.10μm以下,该铜箔在200℃加热30分钟时或在130℃加热30分钟时,所述加热后的光泽面侧表面的I(220)/I0(220)为1以上。

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