[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，该半导体存储装置具有：包括电阻性存储元件的存储单元、以及写入驱动器，

所述存储单元具有第1端子和第2端子，

通过向所述第1端子与所述第2端子之间施加电压来进行写入工作，

所述写入驱动器，

在使所述电阻性存储元件从第1电阻值成为比所述第1电阻值小的第2电阻值的第1写入工作中，向所述存储单元的所述第1端子供给第1电压；

在使所述电阻性存储元件从所述第2电阻值成为所述第1电阻值的第2写入工作中，向所述存储单元的所述第2端子供给与所述第1电压不同的第2电压，

所述第1电压比所述第2电压小。

2.如权利要求1所述的半导体存储装置，

所述第2电压比电源电压小。

3.如权利要求1所述的半导体存储装置，

在所述第1写入工作中在为所述第2电阻值的所述电阻性存储元件中流动的电流，比在所述第2写入工作中在为所述第2电阻值的所述电阻性存储元件中流动的电流小。

4.如权利要求1所述的半导体存储装置，

在所述第1写入工作中在为所述第1电阻值的所述电阻性存储元件中流动的电流，比在所述第2写入工作中在为所述第1电阻值的所述电阻性存储元件中流动的电流小。

5.如权利要求1所述的半导体存储装置，

所述写入驱动器包括：

第1晶体管，其第1端与所述存储单元的第1端电连接，第2端与所述第1电压电连接，在所述第1写入工作中成为导通状态而向所述存储单元的第1端供给所述第1电压，在所述第2写入工作中成为截止状态；以及

第2晶体管，其第1端与所述存储单元的第2端电连接，第2端与所述第2电压电连接，在所述第2写入工作中成为导通状态而向所述存储单元的第2端供给所述第2电压，在所述第1写入工作中成为截止状态。

6.如权利要求5所述的半导体存储装置，

所述第1晶体管的栅尺寸比所述第2晶体管的栅尺寸小。

7.一种半导体存储装置，该半导体存储装置具有：包括电阻性存储元件的存储单元、写入驱动器、以及电压生成电路；

所述写入驱动器在使所述电阻性存储元件从第1电阻值成为比所述第1电阻值小的第2电阻值的第1写入工作中，向所述存储单元供给第1电压；

所述电压生成电路以与温度具有负相关性的方式使所述第1电压变化，并将所述第1电压供给所述写入驱动器。

8.如权利要求7所述的半导体存储装置，

所述写入驱动器在使所述电阻性存储元件从所述第2电阻值成为所述第1电阻值的第2写入工作中，将与所述第1电压不同的第2电压供给到所述存储单元；

所述电压生成电路将所述第2电压供给到所述写入驱动器，所述第2电压与所述温度不相关。

9.如权利要求7所述的半导体存储装置，

所述写入驱动器在使所述电阻性存储元件从所述第2电阻值成为所述第1电阻值的第2写入工作中，将与所述第1电压不同的第2电压供给到所述存储单元；

所述电压生成电路将所述第2电压供给到所述写入驱动器，使所述第2电压根据所述温度而变化。

10.如权利要求9所述的半导体存储装置，

所述第2电压与所述温度具有正相关性。

11.如权利要求10所述的半导体存储装置，

所述第1电压相对于所述温度的变化量的绝对值比所述第2电压相对于所述温度的变化量的绝对值大。

12.如权利要求9所述的半导体存储装置，

所述第2电压相对于所述温度的变化量比所述第1电压相对于所述温度的变化量大。

13.如权利要求9所述的半导体存储装置，

所述第1电压比所述第2电压小。